[发明专利]振荡信号产生器及控制振荡信号产生器的方法无效
申请号: | 201210091589.1 | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN102739241A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 沈致贤 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | H03L1/02 | 分类号: | H03L1/02 |
代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人: | 于淼;张一军 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 振荡 信号 产生器 控制 方法 | ||
1.一种振荡信号产生器,应用于一锁相回路中,其特征在于,包含有:
一振荡电路,用来依据至少一第一控制信号来产生一振荡信号;以及
一控制电路,用来依据芯片温度调整该第一控制信号;
其中该第一控制信号在一第一边界以及一第二边界之间进行调整,以及当该芯片温度接近一第一温度边界而不接近一第二温度边界时,该控制电路调整该第一控制信号接近该第一边界而不接近该第二边界,以使得该锁相回路在一锁定模式时,该振荡电路产生具有一预定频率的该振荡信号。
2.如权利要求1所述的振荡信号产生器,其特征在于,该振荡电路为一数控振荡器。
3.如权利要求1所述的振荡信号产生器,其特征在于,该第一边界以及该第二边界都是电压边界。
4.如权利要求1所述的振荡信号产生器,其特征在于,该芯片温度由一热量感测器来判定,该热量感测器用来感测该振荡信号产生器周围的环境温度。
5.如权利要求1所述的振荡信号产生器,其特征在于,该振荡电路包含有:
一可变电容,在该锁定模式时受控于该第一控制信号,而在该锁相回路的一校正模式时受控于一第二控制信号;以及
一切换电容阵列,在该校正模式时受控于一第三控制信号,而在该锁定模式时受控于一第四控制信号。
6.如权利要求5所述的振荡信号产生器,其特征在于,该控制电路另用来:
在该校正模式时产生该第二控制信号,该第二控制信号处于该第一边界以及该第二边界的大致上的中间位置以控制该可变电容,以及产生该第三控制信号以使得该振荡电路产生具有该预定频率的该振荡信号,其中该第三控制信号对应至一第一子频带范围;以及
在该校正模式之后,依据该芯片温度来利用该第四控制信号来控制该切换电容阵列,以使得该锁相回路在该锁定模式时通过控制该第一控制信号来锁住该振荡电路,其中该第四控制信号对应至一第二子频带范围,该第二子频带范围偏离于该第一子频带范围。
7.如权利要求5或6所述的振荡信号产生器,其特征在于,在该校正模式之后以及在该锁定模式之前,该控制电路还依据该芯片温度并利用一预定的单位步进信号来将该第三控制信号调整为该第四控制信号。
8.如权利要求1所述的振荡信号产生器,其特征在于,该振荡电路包含有:
一可变电容,在该锁相回路的一校正模式时受控于该第一控制信号,而在该锁定模式时受控于一第二控制信号;以及
一切换电容阵列,在该锁相以及该校正模式时受控于一第三控制信号。
9.如权利要求8所述的振荡信号产生器,其特征在于,该控制电路用来:
在该校正模式之前,依据该芯片温度来将该第一控制信号从该第一边界以及该第二边界的一大致上的中间位置偏移至一调整后电压,以控制该可变电容;以及
在该校正模式时,产生该第三控制信号来使得该振荡电路产生具有该预定频率的该振荡信号;
其中该锁相回路在该锁定模式时通过控制该第二控制信号来锁住该振荡电路。
10.如权利要求8所述的振荡信号产生器,其特征在于,该控制电路另用来:
在该校正模式时产生一第一参考电压以及该第一控制信号以控制该可变电容,以及产生该第三控制信号以使得该振荡电路产生具有该预定频率的该振荡信号;以及
在该校正模式之后依据该芯片温度将该第一参考电压偏离为一第二参考电压来控制该可变电容;
其中该锁相回路在该锁定模式时透过控制该第二控制信号来锁住该振荡电路。
11.一种控制振荡信号产生器的方法,其特征在于,该振荡信号产生器应用于一锁相回路中,该方法包含有:
利用一振荡电路来依据至少一第一控制信号来产生一振荡信号,其中该第一控制信号在一第一边界以及一第二边界之间进行调整;以及
当芯片温度接近一第一温度边界而不接近一第二温度边界时,控制该第一控制信号接近该第一边界而不接近该第二边界,以使得该锁相回路在一锁定模式时,该振荡电路产生具有一预定频率的该振荡信号。
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