[发明专利]温度控制方法以及等离子体处理系统有效
申请号: | 201210091617.X | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN102736648A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 松土龙夫 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | G05D23/30 | 分类号: | G05D23/30;G01K11/32;H01J37/32 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温度 控制 方法 以及 等离子体 处理 系统 | ||
1.一种温度控制方法,其特征在于,包括以下步骤:
获取步骤,获取被处理体的背面膜的种类的测量结果;
选择步骤,从将向腔室内投入的能量、背面膜的种类以及被处理体的温度相对应地进行存储的第一数据库中,选择与作为上述测量结果的被处理体的背面膜的种类以及为了对上述被处理体进行处理而投入的能量相对应的被处理体的温度;以及
调整步骤,根据所选择的被处理体的温度,调整上述被处理体的温度。
2.根据权利要求1所述的温度控制方法,其特征在于,
在上述调整步骤中根据所选择的被处理体的温度,来控制冷却机构以及加热机构。
3.根据权利要求1或2所述的温度控制方法,其特征在于,
在上述选择步骤中,从将在被处理体的背面流动的导热气体的压力和被处理体的温度相对应地进行存储的第二数据库中,选择与所选择的被处理体的温度相对应的导热气体的压力,
在上述调整步骤中,根据所选择的导热气体的压力,来调整在上述被处理体的背面流动的导热气体。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的温度控制方法,其特征在于,
还包括保存步骤,在该保存步骤中,将利用非接触式温度计对具有种类不同的背面膜的被处理体来测量与向上述腔室内投入的能量相应的被处理体的温度而得到的被处理体的温度与上述背面膜的种类以及上述能量相对应地保存到上述第一数据库。
5.一种等离子体处理系统,其具备腔室,在该腔室的内部对被处理体实施等离子体处理,该等离子体处理系统的特征在于,具备:
获取部,其获取被处理体的背面膜的种类的测量结果;
选择部,其从将向腔室内投入的能量、背面膜的种类以及被处理体的温度相对应地进行存储的第一数据库中,选择与作为上述测量结果的被处理体的背面膜的种类以及为了对上述被处理体进行处理而投入的能量相对应的被处理体的温度;以及
调整部,其根据所选择的被处理体的温度,来调整上述被处理体的温度。
6.根据权利要求5所述的等离子体处理系统,其特征在于,
上述等离子体处理系统还具备设置在用于载置被处理体的基座上的冷却机构以及加热机构,
上述调整部根据所选择的被处理体的温度,来控制上述冷却机构以及上述加热机构。
7.根据权利要求5或6所述的等离子体处理系统,其特征在于,
上述选择部从将在被处理体的背面流动的导热气体的压力和被处理体的温度相对应地进行存储的第二数据库中,选择与所选择的被处理体的温度相对应的导热气体的压力,
上述调整部根据所选择的导热气体的压力,来调整在上述被处理体的背面流动的导热气体。
8.根据权利要求7所述的等离子体处理系统,其特征在于,
上述等离子体处理系统还具备设置在用于载置被处理体的基座上的导热气体供给机构,
上述调整部根据所选择的导热气体的压力,来控制上述导热气体供给机构。
9.根据权利要求5~8中的任一项所述的等离子体处理系统,其特征在于,上述等离子体处理系统还具备:
定位机构,其对被处理体进行定位;以及
测量部,其以光学方式测量在上述定位机构上载置的被处理体的背面膜的种类。
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