[发明专利]一种具有激光开槽正面电极的晶体硅太阳电池的制作方法

权利要求书

1.一种具有激光开槽正面电极的晶体硅太阳电池的制作方法，包括镀氮化硅减反射膜工序，其特征是还含有以下工序：采用激光对晶体硅片正面的氮化硅减反射层和发射区进行激光开槽，再经后续含印刷正面银电极、背面银电极和背电场工序，烧结后获得具有激光开槽正面电极的晶体硅太阳电池。

2.根据权利要求1所述的具有激光开槽正面电极的晶体硅太阳电池的制作方法，其特征是：采用波长为400～600nm的激光对晶体硅片正面的氮化硅减反射层和发射区进行激光开槽，再经后续含印刷正面银电极、背面银电极和背电场工序，烧结后获得具有激光开槽正面电极的晶体硅太阳电池。

3.根据权利要求1或2所述的具有激光开槽正面电极的晶体硅太阳电池的制作方法，其特征是：所述正面银电极包括主栅线银电极和细栅线银电极，所述主栅线银电极的宽度为1.0～1.5mm，所述细栅线银电极的宽度为0.05～0.1mm。

4.根据权利要求3所述的具有激光开槽正面电极的晶体硅太阳电池的制作方法，其特征是：采用激光对晶体硅片正面的氮化硅减反射层和发射区进行激光开槽，槽的宽度与主栅线银电极或细栅线银电极的宽度相适配。

5.根据权利要求1或2所述的具有激光开槽正面电极的晶体硅太阳电池的制作方法，其特征是：采用激光对晶体硅片正面的氮化硅减反射层和发射区进行激光开槽的深度为进入发射区深度的300～1000nm。

6.根据权利要求1或2所述的具有激光开槽正面电极的晶体硅太阳电池的制作方法，其特征是：丝网印刷正面银电极时采用的浆料中不含有含铅的硼酸玻璃粉。