[发明专利]调整方法和基板处理装置有效

专利信息
申请号: 201210091863.5 申请日: 2012-03-30
公开(公告)号: CN102732850A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 茅野孝;青木洋治郎 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: C23C16/00 分类号: C23C16/00;C23C16/44
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 调整 方法 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种调整方法,在具备对基板进行规定处理的多个处理室的基板处理装置中对所述处理室的内部进行调整,该调整方法的特征在于,包括:

所述多个处理室包括相互组合而对基板实施一系列的工序的第一处理室和第二处理室,

在所述第一处理室中,在与基板的处理相关联而设定的第一累计值达到设定值N1时,实施调整,

当由于所述第一处理室的调整的开始而中断所述一系列的工序时,所述第二处理室成为待机状态,并且以至少在所述第二处理室中与基板的处理相关联而设定的第二累计值为设定值N2以上作为条件,在所述第二处理室中开始第三累计值的计数,当该第三累计值超过设定值N3时,实施所述第二处理室的调整。

2.如权利要求1所述的调整方法,其特征在于:

所述一系列的工序包括:在所述第一处理室中,对基板进行规定的处理的工序;和在所述第二处理室中,对在所述第一处理室中已进行过规定的处理的基板进行与所述第一处理室不同的处理的工序,

所述第一累计值是伴随所述第一处理室中的基板的处理进行累计并且通过进行所述第一处理室的调整而成为0的值,

所述第二累计值是伴随所述第二处理室中的基板的处理进行累计并且通过进行所述第二处理室的调整而成为0的值,

所述第二处理室设定为,当所述第二累计值达到设定值N4时,与所述第一处理室独立地实施调整,并且所述设定值N4是比所述设定值N1大的值。

3.如权利要求2所述的调整方法,其特征在于:

所述第一累计值是在所述第一处理室中在上一次的调整结束后已进行过处理的基板的累计个数,

所述第二累计值是在所述第二处理室中在上一次的调整结束后已进行过处理的基板的累计个数。

4.如权利要求3所述的调整方法,其特征在于:

所述设定值N2与从所述设定值N4减去所述设定值N1所得的值相等。

5.如权利要求1至4中任一项所述的调整方法,其特征在于:

所述第三累计值是所述第二处理室处于待机状态所经过的时间。

6.如权利要求1至4中任一项所述的调整方法,其特征在于:

所述第一处理室的调整所需要的时间比所述第二处理室的调整所需要的时间长。

7.如权利要求6所述的调整方法,其特征在于:

所述设定值N3与从所述第一处理室的调整所需要的时间减去所述第二处理室的调整所需要的时间所得的时间相同或比其短。

8.如权利要求6所述的调整方法,其特征在于:

所述设定值N3仅比从所述第一处理室的调整所需要的时间减去所述第二处理室的调整所需要的时间所得的时间长出在所述第一处理室中对一个基板进行规定处理所需要的时间的量。

9.如权利要求1至4中任一项所述的调整方法,其特征在于:

在开始所述第三累计值的计数之前,至少将所述第二累计值与所述设定值N2进行比较,判定是否进行所述第二处理室的调整。

10.如权利要求1至4中任一项所述的调整方法,其特征在于:

根据所述第三累计值是否超过设定值N3,判定是否进行所述第二处理室的调整。

11.如权利要求1至4中任一项所述的调整方法,其特征在于:

所述调整是包括除去所述处理室内的附着物的清洁处理和在所述处理室内堆积薄膜的预敷处理中的至少任一个的处理。

12.一种基板处理装置,其包括:

对基板进行规定处理的多个处理室;和

控制所述多个处理室中的动作的控制部,

所述基板处理装置周期地对处理室的内部进行调整,

该基板处理装置的特征在于:

所述多个处理室包括相互组合而对基板进行一系列的工序的第一处理室和第二处理室,

所述控制部,以如下方式进行控制:

在所述第一处理室中,当与基板的处理相关联而设定的第一累计值达到设定值N1时实施调整,当由于所述第一处理室的调整的开始而中断所述一系列的工序时,使所述第二处理室成为待机状态,并且以至少在所述第二处理室中与基板的处理相关联而设定的第二累计值为设定值N2以上作为条件,在所述第二处理室中开始第三累计值的计数,当该第三累计值超过设定值N3时实施所述第二处理室的调整。

13.如权利要求12所述的基板处理装置,其特征在于:

所述多个处理室还包括相互组合而对基板进行一系列的工序的第三处理室和第四处理室,在所述第三处理室和第四处理室中,通过进行与所述第一处理室和第二处理室相同的控制实施调整。

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