[发明专利]丙酮传感器装置在审
申请号: | 201210092059.9 | 申请日: | 2012-03-31 |
公开(公告)号: | CN103364443A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 叶哲良;果尚志 | 申请(专利权)人: | 叶哲良 |
主分类号: | G01N27/00 | 分类号: | G01N27/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周长兴 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 丙酮 传感器 装置 | ||
1.一种丙酮传感器装置,其具有:
一容气室,用以容纳取自一受测者的一呼气样本;以及
一丙酮传感器,置于该容气室中以依该呼气样本的丙酮浓度产生一输出电流,该丙酮传感器具有:
一基板;
一缓冲层,沉积于该基板上;
一InN外延层,沉积于该缓冲层上以提供该输出电流的一电流路径;
一第一导电接点,沉积于该InN外延层之上以提供一漏极接点;以及
一第二导电接点,沉积于该InN外延层之上以提供一源极接点。
2.根据权利要求1所述的丙酮传感器装置,其中,该基板是一c-平面蓝宝石层或一(111)硅晶层。
3.根据权利要求1所述的丙酮传感器装置,其中,该缓冲层是一氮化铝层。
4.根据权利要求1所述的丙酮传感器装置,其中,该第一导电接点及该第二导电接点由金属构成。
5.根据权利要求1所述的丙酮传感器装置,其中,该第一导电接点及该第二导电接点均具有Au/Al/Ti的结构。
6.根据权利要求1所述的丙酮传感器装置,其中,该第一导电接点是用以耦接一第一电压及该第二导电接点是用以耦接一第二电压。
7.根据权利要求1所述的丙酮传感器装置,其中,该丙酮传感器进一步具有一催化层,沉积在该InN外延层之上,且该催化层位于该第一导电接点和该第二导电接点之间。
8.根据权利要求7所述的丙酮传感器装置,其中,该催化层具有白金。
9.根据权利要求1所述的丙酮传感器装置,其中,进一步具有一加热组件,用以对该丙酮传感器加热。
10.根据权利要求9所述的丙酮传感器装置,其中,该加热组件位于该丙酮传感器下方。
11.根据权利要求9所述的丙酮传感器装置,其中,该加热组件是一铝材质加热器。
12.一种丙酮传感器装置,其具有:
一容气室,用以容纳取自一受测者的一呼气样本;
一丙酮传感器,置于该容气室中以依该呼气样本的丙酮浓度产生一输出电流;
一加热组件,用以对该丙酮传感器加热;以及
一量测单元,与该丙酮传感器耦接以提供与该输出电流对应的一量测信号;
其中该丙酮传感器具有:
一基板;
一缓冲层,沉积于该基板上;
一InN外延层,沉积于该缓冲层上以提供该输出电流的一电流路径;
一第一导电接点,沉积于该InN外延层之上以提供一漏极接点以耦接一第一电压;以及
一第二导电接点,沉积于该InN外延层之上以提供一源极接点以耦接一第二电压。
13.根据权利要求12所述的丙酮传感器装置,其中,该基板是一c-平面蓝宝石层或一(111)硅晶层。
14.根据权利要求12所述的丙酮传感器装置,其中,该缓冲层是一氮化铝层。
15.根据权利要求12所述的丙酮传感器装置,其中,该第一导电接点及该第二导电接点均具有Au/Al/Ti的结构。
16.根据权利要求12所述的丙酮传感器装置,其中,该丙酮传感器进一步具有一催化层,沉积在该InN外延层之上,且该催化层是位于该第一导电接点和该第二导电接点之间。
17.根据权利要求16所述的丙酮传感器装置,其中,该催化层具有白金。
18.根据权利要求12所述的丙酮传感器装置,其中,该加热组件位于该丙酮传感器下方。
19.根据权利要求12所述的丙酮传感器装置,其中,该加热组件是一铝材质加热器。
20.一种用于糖尿病侦测的丙酮传感器装置,其具有:
一容气室,用以容纳取自一受测者的一呼气样本;
一丙酮传感器,置于该容气室中以依该呼气样本的丙酮浓度产生一输出电流;
一加热组件,用以对该丙酮传感器加热;以及
一量测单元,与该丙酮传感器耦接以提供与该输出电流对应的一量测信号以供糖尿病诊断;
其中该丙酮传感器具有:
一基板;
一缓冲层,沉积于该基板上;
一InN外延层,沉积于该缓冲层上以提供该输出电流的一电流路径;
一第一导电接点,沉积于该InN外延层之上以提供一漏极接点以耦接一第一电压;
一第二导电接点,沉积于该InN外延层之上以提供一源极接点以耦接一第二电压;以及
一催化层,沉积于该InN外延层之上,且该催化层位于该第一导电接点及该第二导电接点之间。
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