[发明专利]TFT-LCD阵列面板结构及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列面板的制造方法，其特征在于，包括：

栅金属层光刻：在基板上沉积栅金属层并通过栅金属掩膜板刻蚀形成栅极线和栅电极；

有源层光刻：在所述基板上依次沉积栅绝缘层、半导体层以及欧姆接触层，通过有源层掩膜板依次刻蚀所述半导体层和栅绝缘层以暴露出部分栅极线；

S/D光刻：在所述基板上沉积源/漏极金属层，通过源/漏极掩膜板刻蚀形成源/漏极以及防ESD器件基体，所述防ESD器件基体包括栅极线，暴露出部分栅极线的栅绝缘层、半导体层以及覆盖暴露出的所述部分栅极线的源/漏极金属层；

过孔光刻：在所述基板上的整个表面上沉积钝化层，通过过孔掩膜板刻蚀所述钝化层，以形成暴露出部分漏极的过孔；

像素电极层光刻：在所述基板上沉积像素电极层，通过像素电极掩膜板刻蚀形成像素电极，进而形成TFT阵列。

2.如权利要求1所述的TFT-LCD阵列面板的制造方法，其特征在于，所述栅金属层包括Mo、Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al及Cu中的至少一种。

3.如权利要求1所述的TFT-LCD阵列面板的制造方法，其特征在于，在所述有源层光刻步骤中，所述有源层掩膜板为半透光掩膜板，通过所述半透光掩膜板刻蚀半导体层形成岛状有源层，同时刻蚀所述基板上所述防ESD器件区的栅绝缘层以暴露出部分栅极线。

4.如权利要求1所述的TFT-LCD阵列面板的制造方法，其特征在于，在所述S/D光刻步骤中，通过源/漏极掩膜板刻蚀所述源/漏极金属层、半导体层层和暴露出的部分栅极线形成源/漏极以及防ESD器件基体，并在过孔光刻步骤中，通过过孔掩膜板刻蚀所述源/漏极之间的半导体层以形成岛状有源层。

5.如权利要求1所述的TFT-LCD阵列面板的制造方法，其特征在于，在基板上沉积栅金属层之前先形成一层氮化硅膜。

6.如权利要求1所述的TFT-LCD阵列面板的制造方法，其特征在于，所述半导体层为α-Si，所述欧姆接触层为n⁺α-Si。

7.如权利要求1所述的TFT-LCD阵列面板的制造方法，其特征在于，所述钝化层为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和有机材料中的至少一种。

8.一种TFT-LCD阵列面板结构，包括TFT阵列以及通过栅金属层与TFT阵列电连接的防ESD器件，其特征在于，所述TFT阵列包括依次形成的栅金属层、栅绝缘层，半导体层、源/漏极金属层、钝化层以及像素电极层；所述防ESD器件包括与所述TFT阵列各层同道工艺形成的栅金属层、栅绝缘层、半导体层、源/漏极金属层以及钝化层，且所述防ESD器件的栅绝缘层、半导体层、欧姆接触层暴露出部分栅金属层，源/漏极金属层覆盖所述欧姆接触层和暴露出的栅金属层，所述钝化层覆盖所述源/漏极金属层。

9.如权利要求8所述的TFT-LCD阵列面板结构，其特征在于，所述TFT-LCD阵列面板结构还包括存储电容、VT/FPC/IC焊盘、延伸焊盘式布线以及开关器件。

10.如权利要求9所述的TFT-LCD阵列面板结构，其特征在于，所述存储电容包括与所述TFT阵列各层同道工艺形成的栅金属层、栅绝缘层、钝化层以及像素电极层，并以所述栅金属层为下电极，所述栅绝缘层和钝化层为绝缘介质，所述像素电极层为上电极。

11.如权利要求9所述的TFT-LCD阵列面板结构，其特征在于，所述存储电容包括与所述TFT阵列各层同道工艺形成的源/漏极金属层、钝化层以及像素电极层，并以源/漏极金属层为下电极，钝化层为绝缘介质，像素电极层为上电极。

12.如权利要求9所述的TFT-LCD阵列面板结构，其特征在于，所述VT/FPC/IC焊盘包括与所述TFT阵列各层同道工艺形成的栅金属层、源/漏极金属层以及像素电极层。

13.如权利要求9所述的TFT-LCD阵列面板结构，其特征在于，所述延伸焊盘式布线包括与所述TFT阵列各层同道工艺形成的栅金属层、源/漏极金属层以及钝化层。

14.如权利要求9所述的TFT-LCD阵列面板结构，其特征在于，所述开关器件包括与所述TFT阵列各层同道工艺形成的栅金属层、栅绝缘层、半导体层源/漏极金属层以及钝化层。