[发明专利]薄膜晶体管、其制作方法及应用其的主动矩阵显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，设于一基板上，且其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

一栅极，设于所述基板上；

一绝缘层，覆盖在所述栅极上；

一金属氧化物半导体图案，设于所述基板上；

一源极与一漏极，设于所述绝缘层上；以及

一聚亚酰胺层，覆盖在所述金属氧化物半导体图案上。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体图案包括氧化铟镓锌。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体图案设于所述栅极绝缘层与所述源极之间以及所述栅极绝缘层与所述漏极之间。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括一第一刻蚀停止图案，设于所述聚亚酰胺层与所述金属氧化物半导体图案之间，且所述第一刻蚀停止图案具有一第一薄膜密度。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括一第二刻蚀停止图案，设于所述第一刻蚀停止图案与所述金属氧化物半导体图案之间，且所述第二刻蚀停止图案具有一第二薄膜密度，小于所述第一薄膜密度。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体图案设于所述源极与所述聚亚酰胺层之间以及所述漏极与所述聚亚酰胺层之间，并延伸至所述源极与所述漏极之间。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极设于所述聚亚酰胺层上。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘层与所述聚亚酰胺层有两个穿孔，且所述源极与所述漏极分别藉由各所述穿孔与所述金属氧化物半导体图案相接触。

9.一种主动矩阵显示面板，其特征在于，包括：

一第一基板；

一第二基板，与所述第一基板相对设置；

一栅极，设于所述第一基板与所述第二基板之间；

一绝缘层，设于所述栅极与所述第一基板之间；

一金属氧化物半导体图案，设于所述第一基板与所述第二基板之间；

一源极与一漏极，设于所述绝缘层与所述第一基板之间；以及

一聚亚酰胺层，设于所述金属氧化物半导体图案与所述第一基板之间。

10.如权利要求9所述的主动矩阵显示面板，其特征在于，还包括：

一液晶层，设于所述第一基板与第二基板之间；

一画素电极层，设于所述聚亚酰胺层与所述液晶层之间；以及

一配向层，设于所述画素电极层与所述液晶层之间。

11.如权利要求9所述的主动矩阵显示面板，其特征在于，还包括一有机电激发光单元，设于所述聚亚酰胺层与所述第一基板之间。

12.如权利要求9所述的主动矩阵显示面板，其特征在于，所述金属氧化物半导体图案包括氧化铟镓锌。

13.如权利要求9所述的主动矩阵显示面板，其特征在于，所述金属氧化物半导体图案设于所述栅极绝缘层与所述源极之间以及所述栅极绝缘层与所述漏极之间。

14.如权利要求13所述的主动矩阵显示面板，其特征在于，还包括一第一刻蚀停止图案，设于所述聚亚酰胺层与所述金属氧化物半导体图案之间，且所述第一刻蚀停止图案具有一第一薄膜密度。

15.如权利要求14所述的主动矩阵显示面板，其特征在于，还包括一第二刻蚀停止图案，设于所述第一刻蚀停止图案与所述金属氧化物半导体图案之间，且所述第二刻蚀停止图案具有一第二薄膜密度，小于所述第一薄膜密度。

16.如权利要求9所述的主动矩阵显示面板，其特征在于，所述金属氧化物半导体图案设于所述源极与所述聚亚酰胺层之间以及所述漏极与所述聚亚酰胺层之间，并延伸至所述源极与所述漏极之间。

17.如权利要求9所述的主动矩阵显示面板，其特征在于，所述栅极设于所述聚亚酰胺层与所述第一基板之间。

18.如权利要求17所述的主动矩阵显示面板，其特征在于，所述绝缘层与所述聚亚酰胺层有两个穿孔，且所述源极与所述漏极分别藉由各所述穿孔与所述金属氧化物半导体图案相接触。