[发明专利]形成齿状电容器的方法无效
| 申请号： | 201210092795.4 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103367106A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 齿状 电容器 方法 | ||
1.一种形成齿状电容器的方法，其特征在于，包含：
提供一基材；
在所述基材上依序交替地形成层叠的低掺杂浓度掺杂硅玻璃层与高掺杂浓度掺杂硅玻璃层；
形成多个通孔贯穿所有所述交替层叠的掺杂硅玻璃层；以及
进行一湿刻蚀工艺以从所述通孔的侧壁刻蚀所述掺杂硅玻璃层，使得所述高掺杂浓度的掺杂硅玻璃层受到比所述低掺杂浓度的掺杂硅玻璃层较多的横向刻蚀，进而在所述通孔中形成齿状结构。
2.如权利要求1所述的形成齿状电容器的方法，其特征在于，所述掺杂硅玻璃层为硼硅玻璃、磷硅玻璃、或硼磷硅玻璃。
3.如权利要求1所述的形成齿状电容器的方法，其特征在于，所述的掺杂浓度为硼掺杂浓度或磷掺杂浓度。
4.如权利要求1所述的形成齿状电容器的方法，其特征在于，所述交替层叠的掺杂硅玻璃层至少超过四层。
5.如权利要求1所述的形成齿状电容器的方法，其特征在于，所述各掺杂硅玻璃层具有相同的厚度。
6.如权利要求1所述的形成齿状电容器的方法，其特征在于，最邻近所述基材的所述低掺杂浓度的掺杂硅玻璃层或是最外侧的所述低掺杂浓度的掺杂硅玻璃层的厚度大于其它所述掺杂硅玻璃层的厚度。
7.如权利要求1所述的形成齿状电容器的方法，其特征在于，所述掺杂硅玻璃层是以次常压化学汽相沉积或等离子体增强化学气相沉积形成。
8.如权利要求1所述的形成齿状电容器的方法，其特征在于，所述高掺杂浓度的掺杂硅玻璃层与所述低掺杂浓度的掺杂硅玻璃层的掺杂浓度差距10％。
9.如权利要求1所述的形成齿状电容器的方法，其特征在于，所述掺杂硅玻璃层的厚度与浓度以及所述湿刻蚀工艺的处理时间可以调整来获得最佳的所述齿状结构轮廓。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
