[发明专利]具有多个交换耦合的磁层的记录介质有效
| 申请号： | 201210093037.4 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102737651B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | M·德赛;K·康;J·周;B·R·阿查亚 | 申请（专利权）人： | 西部数据传媒公司 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/667 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 交换 耦合 记录 介质 | ||
1.一种垂直磁记录盘，其包括：
基本无氧化物的磁覆盖层；
包括第一氧化物材料的上磁层，所述上磁层被直接设置在所述磁覆盖层下方并与所述磁覆盖层接触，所述上磁层具有第一各向异性场Hk；
设置在所述上磁层下方并与所述上磁层接触的上交换耦合层；
设置在所述上交换耦合层下方的中间磁层，所述中间磁层具有第二Hk；
设置在所述中间磁层下方的下交换耦合层；以及
设置在所述下交换耦合层和衬底之间的下磁层，所述下磁层具有第三Hk，其中所述第三Hk大于所述第二Hk，并且其中所述第二Hk大于所述第一Hk。
2.根据权利要求1所述的垂直磁记录盘，其中所述第一氧化物材料具有在所述上磁层的5％到30％范围内的摩尔量。
3.根据权利要求1所述的垂直磁记录盘，其中所述上磁层具有在0.5纳米到5纳米范围内的厚度。
4.根据权利要求1所述的垂直磁记录盘，其中所述上磁层中的所述第一氧化物材料包括二氧化钛TiO2或氧化钴CoO。
5.根据权利要求1所述的垂直磁记录盘，其中所述磁覆盖层具有小于或等于所述第一Hk的第四Hk。
6.根据权利要求5所述的垂直磁记录盘，其中所述第一Hk在10千奥斯特到20千奥斯特的范围内。
7.根据权利要求1所述的垂直磁记录盘，其中所述磁覆盖层具有第一颗粒间侧向交换耦合，并且所述上磁层具有小于所述第一颗粒间侧向交换耦合的第二颗粒间侧向交换耦合。
8.根据权利要求1所述的垂直磁记录盘，其中所述中间磁层包括具有第五各向异性场Hk的第一中间磁子层和位于所述第一中间磁子层上方并具有所述第二Hk的第二中间磁子层，所述第二Hk小于所述第五Hk，并且所述第二中间磁子层基本无氧化物。
9.根据权利要求8所述的垂直磁记录盘，其中所述第五Hk在7千奥斯特到20千奥斯特的范围内。
10.根据权利要求9所述的垂直磁记录盘，其中所述第三Hk大于或等于所述第五Hk。
11.根据权利要求8所述的垂直磁记录盘，其中所述第一中间磁子层包括第二氧化物材料。
12.根据权利要求11所述的垂直磁记录盘，其中所述第二氧化物材料具有在所述第一中间磁子层的5％到30％范围内的摩尔量。
13.根据权利要求11所述的垂直磁记录盘，其中所述第一中间磁子层中的所述第二氧化物材料包括二氧化钛TiO2或氧化钴CoO。
14.根据权利要求11所述的垂直磁记录盘，其中所述第一中间磁子层具有第一颗粒间侧向交换耦合，并且所述第二中间磁子层具有大于所述第一颗粒间侧向交换耦合的第二颗粒间侧向交换耦合。
15.根据权利要求1所述的垂直磁记录盘，其中所述下磁层包括具有所述第三Hk的第一下磁子层和位于所述第一下磁子层上方并具有小于或等于所述第三Hk的第六Hk的第二下磁子层。
16.根据权利要求15所述的垂直磁记录盘，其中所述第三Hk在13千奥斯特到25千奥斯特的范围内。
17.根据权利要求15所述的垂直磁记录盘，其中所述磁覆盖层具有小于所述第一Hk的第四Hk。
18.根据权利要求15所述的垂直磁记录盘，其中所述第一下磁子层包括第二氧化物材料。
19.根据权利要求18所述的垂直磁记录盘，其中所述第二氧化物材料具有在所述第一下磁子层的5％到30％范围内的摩尔量。
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