[发明专利]在基板中形成沟槽的方法在审
申请号: | 201210093060.3 | 申请日: | 2012-03-31 |
公开(公告)号: | CN103367224A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 陈东郁;王志荣 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/76 | 分类号: | H01L21/76 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板中 形成 沟槽 方法 | ||
1.一种在基板中形成沟槽的方法,包含:
提供一基板;
在该基板上形成一第一图案化掩模层,该第一图案化掩模层具有一第一沟槽;
在该基板上全面形成一物质层,该物质层共形地沿着该第一沟槽的一底面以及至少一侧壁形成;
在该物质层上形成一第二图案化掩模层,该第二图案化掩模层填满该第一沟槽;
移除部分的该物质层,而保留位于该第二图案化掩模层以及该基板之间的该物质层,使得该第一图案化掩模层以及该第二图案化掩模层之间形成至少一第二沟槽;以及
形成该第二沟槽后,以该第一图案化掩模层以及该第二图案化掩模层为掩模进行一蚀刻制作工艺。
2.如权利要求1所述的在基板中形成沟槽的方法,其中该蚀刻制作工艺是移除第二沟槽所暴露的该基板,以在该基板中形成一第三沟槽。
3.如权利要求1所述的在基板中形成沟槽的方法,形成该第二沟槽后,还包含:
在该第二沟槽的一侧壁形成至少一第二间隙壁,以在第二沟槽中形成一第四沟槽;以及
移除该第四沟槽所暴露的该基板。
4.如权利要求1所述的在基板中形成沟槽的方法,其中该第二图案化掩模层与该物质层之间具有蚀刻选择比。
5.如权利要求1所述的在基板中形成沟槽的方法,其中在形成该第一图案化掩模层之前,还包含:在该基板上全面形成一第三掩模层。
6.如权利要求5所述的在基板中形成沟槽的方法,其中该蚀刻制作工艺会移除该第二沟槽所暴露的该第三掩模层,以形成一第三图案化掩模层,且该第三图案化掩模层具有一第五沟槽。
7.如权利要求6所述的在基板中形成沟槽的方法,形成该第三图案化掩模层后,还包含:以该第三图案化掩模层为掩模,以移除该第五沟槽所暴露的该基板。
8.如权利要求6所述的在基板中形成沟槽的方法,形成该第三图案化掩模层后,还包含:
在该第五沟槽的至少一侧壁形成一第五间隙壁,以在第五沟槽中形成一第六沟槽。
9.如权利要求8所述的在基板中形成沟槽的方法,还包含移除该第六沟槽所暴露的该基板。
10.如权利要求8所述的在基板中形成沟槽的方法,还包含:
移除该第三图案化掩模层;以及
以该第五间隙壁为掩模来蚀刻基底。
11.如权利要求6所述的在基板中形成沟槽的方法,其中该第三图案化掩模层与该第一图案化掩模层以及该第二图案化掩模层之间具有蚀刻选择比。
12.如权利要求1所述的在基板中形成沟槽的方法,其中形成该第二图案化掩模层的步骤包含:
在该物质层上全面形成一第二掩模层,该第二掩模层会填满该第一沟槽;以及
移除位于该第一沟槽以外的该第二掩模层,以形成该第二图案化掩模层。
13.如权利要求1所述的在基板中形成沟槽的方法,其中该第一图案化掩模层与该第二图案化掩模层的材质相同。
14.一种在基板中形成沟槽的方法,包含:
提供一基板;
在该基板上形成一第一图案化掩模层,该第一图案化掩模层具有一第一沟槽,该第一沟槽具有一底面以及至少一侧壁;
在该第一沟槽的该侧壁上形成一物质层;
形成一第二图案化掩模层,以填满该第一沟槽;
移除该基板上的全部的该物质层,使得该第一图案化掩模层以及该第二图案化掩模层之间形成一第二沟槽;以及
形成该第二沟槽后,以该第一图案化掩模层以及该第二图案化掩模层为掩模进行一蚀刻制作工艺。
15.如权利要求14所述的在基板中形成沟槽的方法,其中该蚀刻制作工艺是移除第二沟槽所暴露的该基板,以在该基板中形成一第三沟槽。
16.如权利要求14所述的在基板中形成沟槽的方法,形成该第二沟槽后,还包含:
在该第二沟槽的该侧壁形成一第二间隙壁,以在第二沟槽中形成一第四沟槽;以及
移除该第四沟槽所暴露的该基板。
17.如权利要求14所述的在基板中形成沟槽的方法,其中该第一图案化掩模层与该物质层之间具有蚀刻选择比。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造