[发明专利]LED芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201210093271.7 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102623587A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 程素芬;徐瑾;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 制造 方法 | ||
1.一种LED芯片的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供基板，并在所述基板上形成外延层，所述外延层包括依次层叠在所述基板上的第一半导体层、发光层和第二半导体层；
在第一掩膜的掩盖下，对所述外延层进行第一次刻蚀，以在所述外延层上形成第一凹槽；
采用激光划片技术从所述外延层一侧进行划片，形成划片槽，并高温腐蚀所述划片槽，所述划片槽形成于所述第一凹槽内且所述划片槽的宽度小于所述第一凹槽的宽度；
在第二掩膜的掩盖下，对所述外延层进行第二次刻蚀，以形成隔离槽，所述隔离槽将芯片分为多个电隔离的子芯片，所述隔离槽位于所述第一凹槽内，且所述隔离槽的宽度大于所述划片槽的宽度；
在所述隔离槽中设置绝缘层；
在所述第二半导体层上形成透明导电层，在所述透明导电层上形成第二电极，在所述第一半导体上形成第一电极，并在相邻的子芯片间形成电气连接。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次刻蚀的深度为形成所述第一电极所需的深度，所述第二次刻蚀的宽度小于所述第一次刻蚀的宽度。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一次刻蚀的深度为0.1-5μm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次刻蚀的宽度与所述隔离槽的宽度相等，所述第二次刻蚀的宽度大于所述第一次刻蚀的宽度，所述第二次刻蚀的深度为从所述外延层顶面到形成第一电极所需的深度。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述划片槽的宽度为1-20μm，深度为10-100μm。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一凹槽从所述外延层表面延伸至所述基板的与所述外延层相邻的表面，所述第二次刻蚀的宽度大于所述第一次刻蚀的宽度。
7.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜为光刻胶、二氧化硅、铬或镍掩膜。
8.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，所述第二掩膜在所述采用激光划片技术从所述外延层一侧进行划片之前形成在所述外延层上。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二掩膜为二氧化硅、氮化硅或氮化铝掩膜。
10.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，所述隔离槽的侧壁与所述基板的表面呈45度角。
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