[发明专利]等离子体处理装置、等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其是平行平板型的等离子体处理装置，在设置于真空容器内的兼用作第一电极的载置台载置基板，在所述第一电极与第二电极之间施加高频电力，将处理气体等离子体化，利用得到的等离子体对基板进行等离子体处理，该等离子体处理装置的特征在于，包括：

用于调整所述第二电极的温度的温度调整机构；

设定等离子体处理时的所述第二电极的温度的温度设定部；

设定温度修正部，在开始使用新的第二电极之后，以随着使用时间的经过，降低该第二电极的设定温度的方式进行修正；和

温度控制部，基于所述第二电极的设定温度，输出用于控制所述温度调整机构的控制信号。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述设定温度修正部构成为：具有存储部，该存储部存储修正数据，该修正数据使在开始使用新的第二电极之后的等离子体处理的累计时间或基板的处理个数与第二电极的设定温度的修正值对应，从所述存储部读出与所述等离子体处理的累计时间或基板的处理个数相应的所述设定温度的修正值，对由所述温度设定部设定的设定温度进行修正。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述设定温度修正部具有输入画面，该输入画面用于输入在开始使用新的第二电极之后的等离子体处理的累计时间或基板的处理个数和第二电极的设定温度的修正值。

4.一种等离子体处理方法，其使用平行平板型的等离子体处理装置，对基板进行等离子体处理，该等离子体处理装置在设置于真空容器内的兼用作第一电极的载置台载置基板，在所述第一电极与第二电极之间施加高频电力，将处理气体等离子体化，该等离子体处理方法的特征在于，包括：

设定等离子体处理时的所述第二电极的温度的温度设定工序；

在开始使用新的第二电极之后，以随着使用时间的经过，降低在所述温度设定工序中设定的第二电极的设定温度的方式进行修正的设定温度修正工序；和

基于在该设定温度修正工序中修正后的第二电极的设定温度，控制用于调整第二电极的温度的温度调整机构的工序。

5.如权利要求4所述的等离子体处理方法，其特征在于：

修正第二电极的设定温度的设定温度修正工序，基于使在开始使用新的第二电极之后的等离子体处理的累计时间或基板的处理个数与第二电极的设定温度的修正值对应的修正数据而进行。