[发明专利]半导体器件的形成方法、鳍式场效应管的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有支撑部；

形成位于所述支撑部侧壁的可流动层；

在形成所述可流动层后，去除所述支撑部；

去除所述支撑部后，对所述可流动层进行处理，形成侧壁平坦的侧墙。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述可流动层的材料为：硼磷硅玻璃、硼硅玻璃、磷硅玻璃、聚乙烯氧化硅或聚乙烯氮化硅。

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述可流动层的材料为正硅酸乙酯和臭氧。

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述可流动层的形成步骤包括：形成覆盖所述半导体衬底、支撑部的顶部和侧壁的可流动薄膜；刻蚀所述可流动薄膜直至暴露出支撑部的顶部和半导体衬底。

5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀所述可流动薄膜的工艺为各向异性的干法刻蚀工艺。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述对所述可流动层进行处理的方法为：退火处理、紫外光处理或者等离子处理。

7.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述对所述可流动层进行处理时采用的气体包括氧气。

8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，当对所述可流动层进行退火处理时，采用的气体还包括氮气、氩气或氦气。

9.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，当对所述可流动层进行退火处理时，其工艺参数包括：退火温度400-600℃，退火时间3-5分钟。

10.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：形成覆盖所述半导体衬底的硬掩膜薄膜，所述支撑部形成于所述硬掩膜薄膜表面。

11.如权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜薄膜采用可流动薄膜形成。

12.如权利要求11所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述可流动薄膜的材料为：硼磷硅玻璃、硼硅玻璃、磷硅玻璃、聚乙烯氧化硅或聚乙烯氮化硅。

13.如权利要求11所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述可流动薄膜的材料为正硅酸乙酯和臭氧。

14.如权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：以所述侧墙为掩膜刻蚀所述硬掩膜薄膜，形成硬掩膜层；对所述硬掩膜层进行处理，使其侧壁平坦。

15.如权利要求14所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对所述硬掩膜层进行处理，使其侧壁平坦的方法为：退火处理、紫外光处理或者等离子处理。

16.如权利要求14所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对所述可流动层进行处理，形成侧壁平坦的侧墙，以及对所述硬掩膜层进行处理，使其侧壁平坦的工艺在同一步骤进行。

17.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为氧化硅，所述支撑部的材料为氮化硅。

18.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底的材料为单晶硅或绝缘体上硅。

19.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有支撑部；

形成位于所述支撑部侧壁的可流动层；

在形成所述可流动层后，去除所述支撑部；

去除所述支撑部后，对所述可流动层进行处理，形成侧壁平坦的侧墙；

以所述半导体器件的侧墙为掩膜，刻蚀所述半导体衬底形成鳍部；

去除所述侧墙，暴露出鳍部的顶部；

形成位于刻蚀后的半导体衬底表面、且横跨所述鳍部的顶部和侧壁的栅极结构；

以所述栅极结构为掩膜，向鳍部掺杂形成源/漏区。

20.如权利要求19所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括：位于所述半导体衬底表面、且横跨所述鳍部的顶部和侧壁的栅介质层；覆盖所述栅介质层的栅电极层。

21.如权利要求20所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的材料为氧化硅或高K介质；所述栅电极层的材料为多晶硅或金属。