[发明专利]具有限定在类金刚石形状半导体结构中的沟道的FinFET器件有效
| 申请号： | 201210093539.7 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102969340A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 林佑儒;吴政宪;柯志欣;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/04;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 限定 金刚石 形状 半导体 结构 中的 沟道 finfet 器件 | ||
1.一种FinFET器件包括：
具有第一半导体材料的半导体衬底；
具有所述第一半导体材料的鳍片结构，位于所述半导体衬底的上面，其中所述鳍片结构具有第一晶面取向的顶面；
具有第二半导体材料的类金刚石形状结构，被设置在所述鳍片结构的所述顶面上方，其中所述类金刚石形状结构具有至少一个第二晶面取向的表面；
栅极结构，被设置在所述类金刚石形状结构的上方，其中所述栅极结构使源极区和漏极区分隔开；以及
沟道区，被限定在所述源极区和所述漏极区之间的所述类金刚石形状结构中。
2.根据权利要求1所述的FinFET器件，其中，所述第一晶面取向是(100)晶面取向，以及所述第二晶面取向是(111)晶面取向。
3.根据权利要求1所述的FinFET器件，其中，所述第一半导体材料是硅。
4.根据权利要求1所述的FinFET器件，其中所述第二半导体材料是锗。
5.一种方法，包括：
提供具有第一半导体材料的衬底，其中，所述衬底具有在隔离部件之间设置的具有所述第一半导体材料的鳍片结构；
使所述鳍片结构凹进以形成沟槽，其中凹进的鳍片结构具有为(100)晶向的表面；以及
从所述沟槽内的所述凹进的鳍片结构的所述表面外延生长第二半导体材料，从而在所述鳍片结构上方形成类金刚石形状半导体结构，其中所述类金刚石形状半导体结构具有至少一个为(111)晶向的面。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一半导体材料包括Si，以及所述第二半导体材料包括锗。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，使鳍片结构凹进以形成沟槽包括形成具有径直垂直轮廓的沟槽。
8.一种方法，包括：
提供具有第一半导体材料的衬底，其中所述衬底具有在隔离部件之间设置的具有所述第一半导体材料的鳍片结构；
回蚀所述隔离部件以形成所述鳍片结构在所述隔离部件的上方延伸的一部分，其中，所述鳍片结构的所述部分的表面具有(100)晶向；以及
从所述鳍片结构的在所述隔离部件的上方延伸的部分外延生长第二半导体材料，从而在所述鳍片结构上方形成类金刚石形状半导体结构，所述类金刚石形状半导体结构具有至少一个为(111)晶向的面。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一半导体材料包括Si，以及所述第二半导体材料包括锗。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述类金刚石形状结构具有四个为(111)晶向的面。
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