[发明专利]制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法

权利要求书

1.一种制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法，包括以下步骤：

步骤1：取一衬底；

步骤2：在衬底上依次外延生长u-GaN层、n-GaN层、多量子阱层和p-GaN耦合层；

步骤3：在p-GaN耦合层上生长纳米金属层；

步骤4：在纳米金属层上生长一P-GaN盖层；

步骤5：在P-GaN盖层上生长一p-GaN电流扩展层，完成外延结构的制备。

2.如权利要求1所述的制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法，其中衬底的材料为硅、蓝宝石或氮化镓，衬底的表面是平面或微图形PSS，或者纳米图形。

3.如权利要求1所述的制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法，其中p-GaN耦合层的掺杂浓度为10¹⁸/cm³，厚度为20-70nm。

4.如权利要求1所述的制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法，其中纳米金属层的生长方式是通过倾斜电子束蒸镀生长。

5.如权利要求4所述的制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法，其中纳米金属层的材料为银和金的核壳结构。

6.如权利要求5所述的制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法，其中纳米金属层的核壳结构为单层或者多层组合。

7.如权利要求1所述的制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法，其中P-GaN盖层的掺杂浓度为10¹⁹/cm³，厚度为10-50nm。

8.如权利要求1所述的制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法，其中多量子阱层的发光波长为490-540nm。