[发明专利]热处理装置以及热处理方法无效
申请号: | 201210093660.X | 申请日: | 2012-03-31 |
公开(公告)号: | CN102737988A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 吉井弘治;山口达也;王文凌;斋藤孝规 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;舒艳君 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 装置 以及 方法 | ||
1.一种热处理装置,其特征在于,具备:
对被处理体进行处理的处理容器;
设置于处理容器的外侧并从外侧加热该处理容器的加热部;
保持部,该保持部载置保持被处理体,并且能够搬入到处理容器内或从处理容器内搬出;
保持部搬送部,该保持部搬送部用于将保持部搬入到处理容器或从处理容器搬出;
第一温度传感器,该第一温度传感器设置于加热部与处理容器之间,并检测加热部的温度;
第二温度传感器,该第二温度传感器固定于处理容器内,并检测处理容器内的温度;
第三温度传感器,该第三温度传感器与保持部一起被搬入到处理容器内或从处理容器内搬出;
控制对加热部的输出的控制部;以及
温度预测部,该温度预测部选择第一温度传感器、第二温度传感器以及第三温度传感器中的任意两个温度传感器,并基于来自这两个温度传感器的检测温度预测被处理体温度T。
2.根据权利要求1所述的热处理装置,其特征在于,
温度预测部根据以下公式求出被处理体温度T,
T=T1×(1-α)+T2×α
其中,α>1,
T1:第一温度传感器、第二温度传感器以及第三温度传感器中任意一个温度传感器的检测温度,
T2:第一温度传感器、第二温度传感器以及第三温度传感器中T1以外的任意一个温度传感器的检测温度,
α:混合比例。
3.一种热处理方法,是使用权利要求1所述的热处理装置的热处理方法,其特征在于,具备:
将被处理体保持在保持部的工序;
利用保持部将被处理体搬入到处理容器内的工序;
在温度预测部中选择第一温度传感器、第二温度传感器以及第三温度传感器中的任意两个温度传感器,并基于来自这两个温度传感器的检测信号预测被处理体的温度的工序;以及
基于由温度预测部预测出的被处理体的温度控制加热部的输出的工序。
4.根据权利要求3所述的热处理方法,其特征在于,
温度预测部根据以下公式求出被处理体温度T,
T=T1×(1-α)+T2×α
其中,α>1,
T1:第一温度传感器、第二温度传感器以及第三温度传感器中任意一个温度传感器的检测温度,
T2:第一温度传感器、第二温度传感器以及第三温度传感器中T1以外的任意一个温度传感器的检测温度,
α:混合比例。
5.根据权利要求3所述的热处理方法,其特征在于,
还具备下述工序:对来自预先进行了将保持部搬入到处理容器内的工序后的第一温度传感器、第二温度传感器以及第三温度传感器的检测温度数据和此时的被处理体的检测温度进行比较,从接近被处理体的检测温度的组合中选择上述选择的两个温度传感器,并且决定α。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造