[发明专利]化学机械研磨后清洗方法以及化学机械研磨方法有效
| 申请号： | 201210093921.8 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102626704B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 李儒兴;李志国 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B08B7/04 | 分类号： | B08B7/04;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 清洗 方法 以及 | ||
【权利要求书】：
1.一种化学机械研磨后清洗方法，其特征在于包括PVA刷洗步骤，所述PVA刷洗步骤包括：首先，利用NH4OH浸润冲洗晶圆表面；随后，停止NH4OH对晶圆的浸润冲洗；此后，使用刷子刷晶圆表面。
2.根据权利要求1所述的化学机械研磨后清洗方法，其特征在于，利用NH4OH浸润冲洗晶圆表面包括将NH4OH喷射在晶圆表面。
3.根据权利要求1或2所述的化学机械研磨后清洗方法，其特征在于，利用NH4OH浸润冲洗晶圆表面包括将晶圆浸泡在NH4OH溶液中。
4.根据权利要求1或2所述的化学机械研磨后清洗方法，其特征在于，所述化学机械研磨后清洗方法用于MOS晶体管的源极多晶硅的化学机械研磨后清洗。
5.根据权利要求1或2所述的化学机械研磨后清洗方法，其特征在于，所述化学机械研磨后清洗方法采用了兆声波清洗步骤与PVA刷洗步骤的结合。
6.一种化学机械研磨后清洗方法，其特征在于采用了根据权利要求1和2所述的化学机械研磨后清洗方法。
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