[发明专利]一种梯度孔隙纯质碳化硅膜管及其制备方法有效
申请号: | 201210094292.0 | 申请日: | 2012-03-31 |
公开(公告)号: | CN102633531A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 张劲松;田冲;杨振明;曹小明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C04B38/06 | 分类号: | C04B38/06;C04B35/565;C04B35/632;C04B35/64;B01D69/10;B01D71/02 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 梯度 孔隙 碳化硅 及其 制备 方法 | ||
1.一种梯度孔隙纯质碳化硅膜管,其特征在于:梯度孔隙纯质碳化硅膜管的组成为纯质SiC,由支撑体层及表面膜层构成梯度过滤结构;其中,支撑体由粗颗粒碳化硅堆积结合而成,平均孔径5~120μtm,表面膜层由细颗粒碳化硅堆积结合而成,孔径0.1~20μtm,膜管整体气孔率在25~50%之间。
2.按照权利要求1所述的梯度孔隙纯质碳化硅膜管,其特征在于:梯度孔隙纯质碳化硅膜管的长度为100~2000mm,抗压强度30~70MPa。
3.按照权利要求1所述的梯度孔隙纯质碳化硅膜管,其特征在于:梯度孔隙纯质碳化硅膜管中,纯质SiC含量在99wt%以上,材料内部晶粒结合完全由碳化硅颗粒自烧结结合。
4.按照权利要求1所述的梯度孔隙纯质碳化硅膜管的制备方法,其特征在于:以粗颗粒碳化硅、氧化硅或硅粉为基本材料,利用高分子材料作为结合剂,混合配料,利用冷等静压包套压制支撑体,后采用细碳化硅颗粒、硅粉、造孔剂添加剂及有机树脂配制膜层原料,采用喷涂或浸渍方法表面制备膜层,经干燥后,烧结得到成品膜管。
5.按照权利要求4所述的梯度孔隙纯质碳化硅膜管的制备方法,其特征在于,具体制备步骤如下:
(1)支撑体成型原料准备
将粗碳化硅颗粒、硅粉或氧化硅粉末、高分子材料、固化剂按质量百分比例为(80wt%~60wt%)∶(20wt%~10wt%)∶(20wt%~10wt%)∶(1wt%~2wt%)共混于有机溶剂中,有机溶剂含量在混合物总量的20~30wt%之间,经机械搅拌后球磨得浆料,而后干燥粉碎得原料复合粉末;
(2)支撑体成型
将上述复合粉末装在等静压包套中,装填中采用机械震实,等静压包套设计尺寸、结构按设计制备,然后装入冷等静压机中,加压压力为40~150MPa,保压时间在2~15分钟之间,后脱去包套得到预制支撑体;
(3)膜层原料准备
将碳化硅粉末、硅粉或氧化硅粉末、高分子材料、造孔剂添加剂、固化剂按质量百分比例为(80wt%~60wt%)∶(20wt%~10wt%)∶(20wt%~10wt%)∶(20wt%~10wt%)∶(1wt%~2wt%)共混于有机溶剂中,有机溶剂含量在50~80%之间,经机械搅拌后球磨得膜层浆料;
(4)表面膜层制备
表面膜层采用浸渍或喷涂方法进行;
(5)烧结
将涂覆表面膜层后的膜管预制体在真空、氩气或其它惰性气体的保护气氛下,烧结,升温速率每分钟1~10℃,升温至800~1200℃,保温0.5~1小时脱去造孔添加剂;后升温速率为每分钟5~15℃,温度为:1500~2400℃,保温0.5~5小时,得梯度孔隙纯质碳化硅膜管。
6.按照权利要求5所述的梯度孔隙纯质碳化硅膜管的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,粗颗粒碳化硅粒度在5~400μm之间,硅粉或者氧化硅粒度在5~10μm之间;高分子材料选自环氧树脂、酚醛树脂和糠醛树脂之一种或一种以上;固化剂为对甲苯磺酸、乌洛托品、草酸或柠檬酸;有机溶剂为乙醇或甲醛。
7.按照权利要求5所述的梯度孔隙纯质碳化硅膜管的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,碳化硅粒度在0.5~40μm之间,硅粉或者氧化硅粒度在0.5~20μm之间;高分子材料选自环氧树脂、酚醛树脂和糠醛树脂之一种或一种以上;固化剂为对甲苯磺酸、乌洛托品、草酸或柠檬酸;有机溶剂为乙醇或甲醛,造孔添加剂为纤维素或聚乙烯醇。
8.按照权利要求5所述的梯度孔隙纯质碳化硅膜管的制备方法,其特征在于,步骤(4)中,浸渍方法:将步骤(2)中得到的预制支撑体,浸入膜层浆料中,以10-50mm/s速度提拉而出,使得支撑体表面涂覆一层浆料,而后干燥,再浸渍,通过浸渍次数控制表面膜层厚度。
9.按照权利要求5所述的梯度孔隙纯质碳化硅膜管的制备方法,其特征在于,步骤(4)中,喷涂方法:利用气体喷枪将浆料喷涂在旋转的预制支撑体上,通过调节支撑体与喷枪之间相对位移速度控制膜层厚度,干燥后得到表面膜层。
10.按照权利要求5所述的梯度孔隙纯质碳化硅膜管的制备方法,其特征在于,步骤(4)中,表面膜层厚度在50~1000μm之间。
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