[发明专利]光半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种光半导体装置，具有在基板上从上述基板的主面侧起依次形成的第一电极、有机发光层、第二电极，以及设置于上述基板上以覆盖上述发光层的密封膜，该光半导体装置的特征在于，

上述密封膜包含交替地层叠平坦化膜和阻挡膜而成的层叠膜，

上述平坦化膜以及上述阻挡膜包含氮氧化硅膜。

2.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，

上述第一电极的上表面从形成于上述平坦化膜与上述基板之间的第一绝缘膜的开口部露出，形成于上述开口部上的最下层的上述平坦化膜的底面具有凹凸，最下层的上述平坦化膜的上表面是平坦的。

3.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，

上述平坦化膜包含含有碳的氮氧化硅膜，

上述阻挡膜包含无机氮氧化硅膜。

4.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，

上述平坦化膜通过并用利用真空紫外线的光CVD法以及利用远程等离子体的等离子体CVD法来形成。

5.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，

上述阻挡膜通过并用利用真空紫外线的光CVD法以及利用远程等离子体的等离子体CVD法来形成。

6.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，

上述平坦化膜与上述阻挡膜相比杨氏模量低，上述阻挡膜与上述平坦化膜相比膜密度大且阻水性高。

7.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，

在上述有机发光层与上述密封膜之间形成有吸收真空紫外光的第二绝缘膜。

8.根据权利要求7所述的光半导体装置，其特征在于，

上述第二绝缘膜是吸收真空紫外线90％以上的绝缘膜。

9.一种光半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

(a)在基板上形成第一电极；

(b)在上述第一电极上形成与上述第一电极电连接的有机发光层；

(c)在上述有机发光层上形成与上述有机发光层电连接的第二电极；以及

(d)在上述有机发光层上通过利用真空紫外光的光CVD法形成氮氧化硅膜，

其中，在上述(d)工序中，在上述真空紫外光的照射过程中利用远程等离子体进行自由基照射。

10.根据权利要求9所述的光半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述(d)工序中，层叠多层上述氮氧化硅膜，在上述有机发光层上从上述有机发光层侧起依次交替层叠包含多个上述氮氧化硅膜之一的平坦化膜以及包含多个上述氮氧化硅膜之一的阻挡膜。

11.根据权利要求10所述的光半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述(d)工序中，将具有碳的有机物作为原料形成上述平坦化膜，仅将无机物作为原料形成上述阻挡膜。

12.根据权利要求10所述的光半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述平坦化膜是在形成过程中表现出流动性的膜，上述阻挡膜是与上述平坦化膜相比膜密度大且阻水性高的膜。

13.根据权利要求9所述的光半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述(a)工序之后在上述(b)工序之前，还具有以下工序：在上述基板上形成第一绝缘膜之后，将上述第一绝缘膜开口而使上述第一电极的上表面露出。

14.根据权利要求9所述的光半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述(d)工序中，使用氮自由基和氧自由基中的至少一个以及有机硅气体，作为形成上述氮氧化硅膜的原料气体。

15.根据权利要求9所述的光半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述(d)工序中，使用氧自由基或者氧气中的某一个、高阶硅烷气体以及氮自由基，作为形成上述氮氧化硅膜的原料气体。

16.根据权利要求9所述的光半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述(d)工序之前，还具有以下工序：在上述有机发光层上形成吸收真空紫外线90％以上的第二绝缘膜。