[发明专利]一种自路由单元电路及其控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种路由单元电路，尤其涉及一种适用于大规模互联的神经网络系统中的自路由单元电路。

背景技术

数字计算机是二十世纪人类科技进步的重要产物，其所产生的影响体现在人们生活的方方面面。相比于数字计算机，神经计算机在智能化、大规模计算能力、存储与计算一体化等方面具有很大的潜力，很有可能成为数字计算机强有力的替代者。在神经网络系统中，其基本单元式一个个的神经元，神经元之间有着大规模的互联，这种互联叫做突触，信号从前神经元通过突触连接传递到后神经元。正是由于这些大规模的突触连接才使得神经计算机具有很强的计算、识别、存储能力。一个前神经元需要与多个后神经元相连，并且有选择地向后神经元传递信号，这些突触连接可以看成是路由单元电路，如图1所示，N0代表前神经元，N1至Nn为后神经元，W1至Wn为路由单元电路。但是，现有技术中的前神经元与多个后神经元的突触连接技术不成熟且电路复杂，而且前神经元不能自动地选择向那些需要传递信号的后神经元传递信号，因此严重地制约了神经网络系统的发展与应用。

发明内容

针对以上现有技术存在的问题，本发明提供一种自路由单元电路，从而解决神经网络系统中大规模的连接并且自主选择传输路径的问题。

本发明的一个目的在于提供一种自路由单元电路。

本发明的自路由单元电路，在大规模互联的神经网络系统中，用于前神经元与两个以上后神经元的突触连接，包括：正输入端和负输入端，正输入端与前神经元相连，负输入端与后神经元相连；在两个端口之间具有与后神经元的数目相同的两条以上并联的支路，每条并联支路由一个或者多个双极阻变忆阻器构成，每条支路具有不同的结构，随着阻变忆阻器的数目、极性的连接方向以及串并联方式的不同而形成具有与特定电压信号相应的一种自路由单元电路。

本发明的双极忆阻器可以是氧化钽阻变存储器、氧化铪阻变存储器、二氧化钛阻变存储器等具有双极操作的多值阻变的各种阻变存储器中的一种，也可以是其他具有类似上述器件双极操作且具有非挥发多值存储特性的存储器。

本发明的另一目的在于提供一种自路由单元电路的控制方法。

本发明的上述自路由单元电路的控制方法包括：电路工作分为设定各支路的电阻的设置态和触发后神经元进行计算的计算态。

开始时电路先进入设置态，电路控制全部后神经元将自路由电路的负输入端分别接地，根据选择需要传输信号的后神经元，设定脉冲作为设置信号，那么当前神经元发射设置信号时通过各个正输入端同时加到连接各个后神经元的不同的支路时，各个支路由于结构不同电阻会有不同的响应，即设定后各支路的电阻大小不同。然后电路进入计算态，前神经元发射设定的电压作为计算信号经自路由单元电路到后神经元，后神经元将自路由电路的负输入端接到后神经元的计算电路的输入端，由于各个支路的电阻不同，那么传递到后神经元的信号会有所不同，当信号高于后神经元的触发电压时，后神经元进行计算，此支路为通路，而低于触发电压的信号所在的支路为开路。从而起到了自路由的作用。

本发明的优点：

本发明的电路适用于大规模互联的神经网络系统中，前神经元与两个以上后神经元的突触连接采用自路由单元电路，具有两条以上并联的支路，每条并联支路由一个或者多个双极阻变忆阻器构成，每条支路具有不同的结构，随着阻变忆阻器的数目、极性的连接方向以及串并联方式的不同而形成具有与特定电压相应的一种自路由单元电路。本发明的电路能够自动地选择向后神经元传递信号，并且电路简单、结构小以及便于大规模集成；而且为非挥发电路，一旦设定，在条件不变的情况下，不需重新设定。

附图说明

图1为现有技术中一个前神经元与多个后神经元相连的结构示意图；

图2(a)为单个双极阻变忆阻器的正极与正输入端相连，负极与负输入端相连的电路图，图2(b)为如图2(a)所示的双极阻变忆阻器的阻值与输入脉冲的高度和宽度的关系的曲线图；图3(a)、(b)和(c)分别为双极阻变忆阻器的数目、极性的连接方向以及串并联方式的不同组合的电路图，图3(d)为如图3(a)、(b)和(c)所示的双极阻变忆阻器的连接电路的阻值随着输入脉冲的高度和宽度的变化的响应曲线；

图4为本发明的自路由单元电路一个支路的示意图；

图5为一个前神经元与两个后神经元相连接的示意图。

具体实施方式

下面结合附图，通过实例对本发明做进一步说明。