[发明专利]源漏轻掺杂方法、半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210097698.4 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102623314A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 源漏轻 掺杂 方法 半导体器件 及其 制造 | ||
1.一种源漏轻掺杂方法，其特征在于，所述源漏轻掺杂方法的离子注入方向向源极方向倾斜并与垂直于衬底方向成一夹角，以使形成的源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区为非对称结构，所述源极轻掺杂区比漏极轻掺杂区更靠近沟道。
2.如权利要求1所述的源漏轻掺杂方法，其特征在于，所述夹角为5度至45度。
3.如权利要求1所述的源漏轻掺杂方法，其特征在于，采用砷离子进行离子注入，注入能量为5Kev～10Kev，注入剂量为1*1014～1.5*1015/cm2。
4.如权利要求1所述的源漏轻掺杂方法，其特征在于，采用磷离子进行离子注入，注入能量为1.5Kev～5Kev，注入剂量为1*1014～2*1015/cm2。
5.如权利要求1所述的源漏轻掺杂方法，其特征在于，采用硼离子进行离子注入，注入能量为0.5Kev～4Kev，注入剂量为1*1014～1.5*1015/cm2。
6.如权利要求1所述的源漏轻掺杂方法，其特征在于，采用铟离子进行离子注入，注入能量为5Kev～20Kev，注入剂量为5*1013～1*1015/cm2。
7.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成栅极结构，所述衬底包括源极区域和漏极区域；
以所述栅极结构为掩膜，在栅极结构两侧的衬底内进行源漏轻掺杂，形成源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区，所述源漏轻掺杂的离子注入方向向源极重掺杂区方向倾斜并与垂直于衬底方向成一夹角；
在所述衬底上形成侧墙沉积层，对所述侧墙沉积层进行刻蚀，以在栅极结构的侧壁形成栅极侧墙；
进行源漏重掺杂以及退火工艺。
8.如权利要求7所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述夹角为5度至45度。
9.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括源极区域、漏极区域以及形成于所述衬底上的栅极结构，还包括形成于所述衬底中的源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区，其特征在于，所述源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区为非对称结构，所述源极轻掺杂区比漏极轻掺杂区更靠近沟道。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
