[发明专利]一种氮化硅坩埚的制备方法

权利要求书

1.一种氮化硅坩埚的制备方法，包括以下步骤：

a)将由氮化硅粉和助烧剂组成的混合粉体进行造粒、成型，得到坩埚生胚，所述助烧剂为二氧化硅；

b)将所述坩埚生胚进行气压烧结，得到氮化硅坩埚。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤a)中，所述助烧剂为纳米二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤a)中，所述助烧剂占所述混合粉体的质量分数≤10％。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤a)中，所述助烧剂占所述混合粉体的质量分数为1％～9％。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤b)中，所述气压烧结的温度为1700℃～2000℃。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤b)中，所述气压烧结的压力≤9MPa。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤a)中，所述氮化硅粉由质量分数为90％～95％的亚微米氮化硅粉和质量分数为5％～10％的纳米氮化硅粉组成。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤a)中，所述造粒具体包括：

将所述混合粉体与无水乙醇混合，制成浆料，所述浆料的固含量为30％～50％；

将所述浆料进行喷雾干燥造粒，经出料得到粉粒体。