[发明专利]一种提高氧化铟锡透明导电膜表面功函数的表面修饰方法

权利要求书

1.一种提高氧化铟锡透明导电膜表面功函数的表面修饰方法，其特征在于具体步骤为：采用射频或微波放电激发方式在真空室中产生大体积含氧、或含氯、或含氟强电负性元素的等离子体，把镀有ITO薄膜的玻璃片置于浸没在等离子体中的金属基片台上，ITO薄膜面向等离子体，基片台与真空腔体及地绝缘；连接高电压负脉冲方波电源，将高电压负脉冲加在金属基片台上，使ITO薄膜与等离子体之间形成负电压鞘层，氧离子在鞘层内被电场加速向ITO表面运动，高能氧离子注入到ITO表面并留在ITO表层内，提高ITO薄膜表面O/(Sn+In)原子比例，从而提高ITO表面功函数。

2.根据权利要求1所述的提高氧化铟锡透明导电膜表面功函数的表面修饰方法，其特征在于所述的等离子体是在0.001-1Torr气压的真空条件下放电产生。

3.根据权利要求1或2所述的提高氧化铟锡透明导电膜表面功函数的表面修饰方法，其特征在于离子注入深度通过调节气压和脉冲偏压控制，使大部分注入离子留在ITO表面往里0-10nm之间。

4.根据权利要求1或2所述的提高氧化铟锡透明导电膜表面功函数的表面修饰方法，其征在于所述的高电压负脉冲方波电源，其电压幅值在100V-1000V区间内，脉冲宽度在1-50微秒内，脉冲上升缘和下降缘之和小于1微秒。

5.根据权利要求1或2所述的提高氧化铟锡透明导电膜表面功函数的表面修饰方法，其征在于通过调节脉冲宽度和注入时间控制注入氧离子的剂量，从而调控ITO薄膜表面O/(Sn+In)原子比例。

6.一种由权利要求1—5之一所述方法修饰的氧化铟锡透明导电膜。

7.如权利要求6所述的氧化铟锡透明导电膜，作为阳极在制备OLED器件中的应用。