[发明专利]一种MOS场控晶闸管无效
| 申请号： | 201210098651.X | 申请日： | 2012-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102623492A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;齐跃;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;东莞电子科技大学电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/745 | 分类号： | H01L29/745;H01L29/749;H01L29/06 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mos 晶闸管 | ||
【权利要求书】：
1.一种MOS场控晶闸管，包括阳极结构、漂移区结构、阴极结构和栅极结构；其特征在于，所述漂移区结构包括N-型漂移区(4)和P型延伸区(5)；所述P型延伸区(5)由阴极结构中的P型体区(3)向下延伸入N-型漂移区(4)形成，但P型延伸区(5)不与阳极结构中的P+区(7)接触。
2.根据权利要求1所述的MOS场控晶闸管，其特征在于，所述MOS场控晶闸管的开启沟道与关断沟道的比值为1∶N，其中N为自然数。
3.根据权利要求1所述的MOS场控晶闸管，其特征在于，所述P型延伸区(5)下方的N-型漂移区(4)中还具有与阳极结构中的P+阳极区7相接触的N+缓冲层，使得漂移区结构形成PT型或FS型漂移区结构。
4.根据权利要求1所述的MOS场控晶闸管，其特征在于，所述栅极结构为平面型结构或沟槽型结构。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的MOS场控晶闸管，其特征在于，所述P型延伸区(5)与两侧的N-型漂移区(4)形成超结结构。
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