[发明专利]一种在Si基片上外延生长GaAs薄膜的方法

权利要求书

1.一种Si基生长GaAs薄膜分子束外延的方法，其特征在于：包括下述步骤：

（1）、选取Si(111)衬底，并对Si（111）衬底清洗；

（2）、将清洗后的Si（111）衬底在上制备Ga液滴，制备温度为620至640℃，Ga束流为2×10^-7Torr，生长时间为25-35min；

（3）、在Si（111）衬底上自催化生长1μm的纳米柱；自催化温度为540至560℃，Ga束流为1.5×10^-7Torr，As 束流为2×10^-6Torr，生长时间为10-20min分钟；

（4）、温度降至380-420℃使Ga液滴固化，Ga束流为1.5×10^-7Torr，As 束流为2×10^-6Torr，生长时间为80-100 min，生长形成GaAs薄膜。

2. 根据权利要求1所述的Si基生长GaAs薄膜分子束外延的方法，其特征在于：在步骤（1）中，采用丙酮对所述Si（111）衬底超声清洗4-6min1-3次，之后使用乙醇超声清洗4-6min1-3次，再用去离子水清洗两次，用氮气吹干，放入真空室。