[发明专利]层叠有机光敏器件有效
申请号: | 201210099713.9 | 申请日: | 2005-07-29 |
公开(公告)号: | CN102610627A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 斯蒂芬·福里斯特;薛剑耿;内田聪一;巴里·P·兰德 | 申请(专利权)人: | 普林斯顿大学理事会 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L51/42 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层叠 有机 光敏 器件 | ||
1.一种层叠有机光敏器件,包括:
第一电极;
第二电极;
布置在第一电极和第二电极之间的第一有机光激活区;
布置在第一电极和第二电极之间的第二有机光激活区;
其中所述器件包括反射层,并且第一有机光激活区和第二有机光激活区布置在反射层的相同侧;
其中λ1是第一有机光激活区的最高三个吸收峰中的一个的波长,并且λ2是第二有机光激活区的最高三个吸收峰中的一个的波长;
其中λ1与λ2相差至少10%;
其中第一有机光激活区布置在一个使得在第一有机光激活区内或在第一有机光激活区的0.05λ1/na内对于波长λ1有光场强度的最大值的位置,其中na是发生最大值处的材料的折射率;以及
其中第二有机光激活区布置在一个使得在第二有机光激活区内或在第二有机光激活区的0.05λ2/nb内对于波长λ2有光场强度的最大值的位置,其中nb是发生最大值处的材料的折射率。
2.一种层叠有机光敏器件,包括:
第一电极;
第二电极;
布置在第一电极和第二电极之间的第一有机光激活区;以及
布置在第一电极和第二电极之间的第二有机光激活区;
其中第一有机光激活区和第二有机光激活区具有不同的吸收特征;
其中在λ1±5%波长范围上第一有机光激活区的平均吸收大于第二有机光激活区的平均吸收;
其中在λ2±5%波长范围上第二有机光激活区的平均吸收大于第一有机光激活区的平均吸收;
其中λ2比λ1大至少10%。
3.根据权利要求2的器件,其中所述器件包括反射层,并且其中第一有机光激活区和第二有机光激活区布置在反射层的相同侧,并且其中第一有机光激活区布置成比第二有机光激活区更接近于反射层。
4.根据权利要求3的器件,其中第一电极是反射层。
5.根据权利要求2的器件,其中在λ1±5%波长范围上第一有机光激活区的平均吸收比第二有机光激活区的平均吸收大至少5%;
其中在λ2±5%波长范围上第二有机光激活区的平均吸收比第一有机光激活区的平均吸收大至少5%。
6.根据权利要求2的器件,其中第一有机光激活区和第二有机光激活区都包括材料C60和CuPc,并且第一有机光激活区中C60的百分比大于第二有机光激活区中C60的百分比。
7.根据权利要求2的器件,其中第一有机光激活区的位置处对于λ1±5%波长范围的平均光场强度大于第二有机光激活区的位置处对于λ1±5%波长范围的平均光场强度,并且其中第二有机光激活区的位置处对于λ2±5%波长范围的平均光场强度大于第一有机光激活区的位置处对于λ2±5%波长范围的平均光场强度。
8.根据权利要求5的器件,其中第一有机光激活区的位置处对于λ1±5%波长范围的平均光场强度大于第二有机光激活区的位置处对于λ1±5%波长范围的平均光场强度,并且其中第二有机光激活区的位置处对于λ2±5%波长范围的平均光场强度大于第一有机光激活区的位置处对于λ2±5%波长范围的平均光场强度。
9.根据权利要求2的器件,还包括布置在第一电极和第二电极之间的第三有机光激活区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的