[发明专利]平面磨削区磨削液动压力测量装置无效
| 申请号： | 201210100066.9 | 申请日： | 2012-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN102620881A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 迟玉伦;李郝林 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | G01L9/06 | 分类号： | G01L9/06 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平面 磨削 压力 测量 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种平面磨削区磨削液动压力测量装置，包括硅扩散压力传感器（1），传感器放大器（6），A/D采集卡（7），计算机（8），其特征在于：所述硅扩散压力传感器（1）安装在支架（5）上，且硅扩散压力传感器（1）测头垂直于工件圆孔（14），硅扩散压力传感器（1）通过信号输出线(4)经传感器放大器（6）和A/D采集卡（7）与计算机（8）连接。
2.根据权利要求1所述的平面磨削区磨削液动压力测量装置，其特征在于：所述硅扩散压力传感器（1）的量程为0-40pa，线性精度为±0.25%FS。
3.根据权利要求1所述的平面磨削区磨削液动压力测量装置，其特征在于：所述A/D采集卡(7)采样频率为 =1kHz，并通过切比雪夫II型数字滤波器对采集的数据进行低通滤波处理，其截止频率应满足下式：
式中：为滤波器的截止频率（Hz）,为砂轮直径（mm）。
4.根据权利要求1所述的平面磨削区磨削液动压力测量装置，其特征在于：所述硅扩散压力传感器（1）由晶向硅片和四个电阻构成，其中晶向硅片中注入四个电阻，连接成惠斯通电桥。
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