[发明专利]用于具有氧吸收保护层的MRAM器件的结构和方法有效
| 申请号： | 201210100208.1 | 申请日： | 2012-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN103022342A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 陈志明;高雅真;刘明德;喻中一;蔡正原;林春荣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22;G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 有氧 吸收 保护层 mram 器件 结构 方法 | ||
1.一种用于MRAM器件的MTJ叠层，所述MTJ叠层包括：
固定铁磁层，位于牵制层上方；
隧穿阻挡层，位于所述固定铁磁层上方；
自由铁磁层，位于所述隧穿阻挡层上方；
导电氧化物层，位于所述自由铁磁层上方；以及
基于氧的保护层，位于所述导电氧化物层上方。
2.根据权利要求1所述的MTJ叠层，还包括：扩散阻挡层，夹置在所述自由铁磁层和所述导电氧化物层之间。
3.根据权利要求1所述的MTJ叠层，其中，所述基于氧的保护层包括氧化镁(MgO)和氧化铝(AlO)中的一种。
4.根据权利要求1所述的MTJ叠层，其中，所述导电氧化物层包括掺杂锡的氧化铟(ITO)、氧化钌(RuO)、氧化钛(TiO)、氧化钽(TaO)、氧化镓锌(GaZnO)、氧化铝锌(AlZnO)和氧化铁(FeO)中的一种。
5.根据权利要求1所述的MTJ叠层，其中，所述导电氧化物层具有大约或者更小的厚度。
6.根据权利要求1所述的MTJ叠层，还包括扩散阻挡层。
7.根据权利要求6所述的MTJ叠层，其中，所述扩散阻挡层包括钛和钽中的一种。
8.一种用于MRAM器件的MTJ叠层的保护层，所述保护层设置在所述MTJ叠层的自由铁磁层的上方，并包括：
扩散阻挡层，具有金属；
导电氧化物层，设置在所述扩散阻挡层的上方；以及
基于氧的保护层，位于所述导电氧化物层的上方。
9.根据权利要求8所述的保护层，其中，所述基于氧的保护层包括电介质氧化物层。
10.一种制造用于MRAM器件的MTJ叠层的方法，包括：
形成设置在牵制层上方的固定铁磁层；
形成设置在所述固定铁磁层上方的隧穿阻挡层；
形成设置在所述隧穿阻挡层上方的自由铁磁层；
沉积设置在所述自由铁磁层上方的金属层；以及
形成设置在所述金属层上方的基于氧的保护层。
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