[发明专利]改进的硅化物形成方式及相关器件

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供半导体材料，所述半导体材料具有在其中的间隔的源极区域和漏极区域；

形成栅极结构，所述栅极结构介于所述源极区域和所述漏极区域之间；

对所述栅极结构实施栅极替换工艺，从而形成在其中的金属栅电极；

在所述金属栅电极上方形成硬掩模层；

在所述半导体材料中相应的源极区域和漏极区域上方形成硅化物层；

去除所述硬掩模层，从而暴露所述金属栅电极；以及

形成源极接触件和漏极接触件，每个源极接触件和漏极接触件都与所述硅化物层中相应的一个电连接。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在实施所述栅极替换工艺之前，在所述栅极结构和所述半导体材料上方沉积第一层间介电(ILD)层；以及

在形成所述硅化物层之前，去除所述第一ILD层。

3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：

在所述硅化物层和所述硬掩模层上方沉积第二ILD层；以及

实施化学机械抛光(CMP)工艺，从而平整化所述第二ILD层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，实施所述CMP工艺包括：去除所述硬掩模层。

5.根据权利要求1所述的方法，

进一步包括：去除所述金属栅电极的顶部部分，从而在所述栅极结构中形成开口，以及

其中，形成所述硬掩模层包括：在所述开口的内部形成所述硬掩模层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，去除所述金属栅电极的所述顶部部分包括：去除所述金属栅电极的部分，所述金属栅电极的所述部分的厚度在大约5至10纳米范围内。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述硅化物层包括：形成所述硅化物层，使得所述硅化物层从所述栅极结构几乎沿着所述相应的源极区域和漏极区域中的每个的整体向外延伸。

8.根据权利与1所述的方法，

其中，形成所述栅极结构包括：在所述栅极结构的所述侧壁上形成隔离件，以及

其中，去除所述硬掩模层包括：去除所述隔离件围绕所述硬掩模层的部分。

9.一种方法，包括：

提供半导体衬底；

形成从所述衬底中向上延伸的鳍结构，所述鳍结构具有在其中的间隔的源极区域和漏极区域；

形成栅极结构，所述栅极结构接合位于所述源极区域和漏极区域之间的所述鳍结构，所述栅极结构具有在其中的伪栅电极；

在所述栅极结构和鳍结构上方沉积第一层间介电(ILD)层；

去除所述伪栅电极，从而在所述栅极结构中形成沟槽；

将金属层沉积到所述沟槽中，从而形成在其中的金属栅电极；

去除所述金属栅电极的顶部部分，从而在所述栅极结构中形成开口；

在所述开口中形成硬掩模层；

去除所述第一ILD层，从而暴露所述鳍结构中的所述源极区域和漏极区域；

在所述鳍结构中相应的源极区域和漏极区域上方形成硅化物层；

去除所述硬掩模层；以及

形成源极接触件和漏极接触件，源极接触件和漏极接触件中的每个都与所述硅化物层中相应的一个电连接。

10.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

鳍结构，被设置在所述半导体衬底上方并且具有从沟道区域向外延伸的间隔的源极区域和漏极区域，所述沟道区域被限定在所述源极区域和漏极区域之间；

栅极结构，被设置在所述鳍结构的部分上方，所述栅极结构接合与所述沟道区域相邻的并且位于所述源极区域和所述漏极区域之间的所述鳍结构；

第一硅化物层，被设置在所述鳍结构上方，所述第一硅化物层沿着所述源极区域的顶部部分从所述栅极结构向外延伸；

第二硅化物层，被设置在所述鳍结构上方，所述第二硅化物层从所述栅极结构沿着所述漏极区域的顶部部分向外延伸；

源极接触件，与所述第一硅化物层电连接并且被配置成将电流传送给所述源极区域；以及

漏极接触件，与所述第二硅化物层电连接并且被配置成将电流从所述漏极区域中传送出来。