[发明专利]一种LED晶片微焊共晶方法无效
| 申请号： | 201210100565.8 | 申请日： | 2012-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN102601477A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 罗会才;王鸿;谌孙佐;陈小宇;胡霞军 | 申请（专利权）人： | 深圳市因沃客科技有限公司 |
| 主分类号： | B23K1/00 | 分类号： | B23K1/00;B23K1/20 |
| 代理公司： | 深圳市凯达知识产权事务所 44256 | 代理人： | 刘大弯 |
| 地址： | 518103 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 晶片 微焊共晶 方法 | ||
1.一种LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，包括
筛选配比合适的银锡焊料；
预热基片或底座；
焊料涂布，将银锡焊料涂布于基片支架上，用于固定LED晶片位置，并通过助焊剂加热使焊料融化填充于支架LED共晶位置上；
给基片蒸镀上一层厚度为1μm以上的保护层，所述保护层为银、金或其它合金；
在共晶温度下将芯片焊接到基片上；
在直接加热、热超声或对点加热的条件下将焊接好的产品进行共晶焊接处理。
2.根据权利要求1所述的LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，所述方法还包括清洁基片支架的步骤。
3.根据权利要求1或2所述的LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，在焊接过程中，焊接环境为自然条件，或真空环境，或真空加入保护气体的环境，所述保护气体为惰性气体、氢气或氮氢混合气体。
4.根据权利要求1或2所述的LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，所述焊接时的共晶温度为200-282℃。
5.根据权利要求1或2所述的LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，所述焊接时的共晶温度为银-锡焊料的共晶点温度加上10-20℃。
6.根据权利要求1或2所述的LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，所述预热基片或底座步骤的预热温度为200℃。
7.根据权利要求1或2所述的LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，所述方法还包括，所述共晶焊接处理步骤完成后，在自然条件下或在氮气保护气环境下进行缓慢冷却。
8.根据权利要求1或2所述的LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，所述晶片或焊片保存于氮气柜中。
9.根据权利要求1或2所述的LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，还包括，在焊接前，通过显微镜检测焊接面的洁净度、平整度和是否生成了氧化物。
10.根据权利要求9所述的LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，所述洁净度、平整度和是否生成了氧化物的判断标准为；在40倍的显微镜下表面平整度为镀层清洁光亮，颜色金黄无晦暗的氧化层。
11.根据权利1或2所述的LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，所述共晶焊接处理步骤包括至少五个阶段，预热阶段，加热阶段，焊接阶段，保温阶段和冷却阶段。
12.根据权利1或2所述的LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，在焊接前和焊接过程中，定期用表面温度计测量加热基座的表面温度，并根据支架的材料、大小、热容量的不同进行相应调整焊接温度。
13.根据权利1或2所述的LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，在焊接前和焊接过程中，定期用表面温度计监测焊接面的温度，最佳共晶温度为220-242℃。
14.根据权利1或2所述的LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，在焊接前和焊接过程中，定期用表面温度计监测焊接面的温度，最佳共晶温度为260-282℃。
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