[发明专利]半导体封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于其至少包含：

一第一基板，，具有一第一表面、多个设置于该第一表面的第一导接垫、多个电性连接于所述第一导接垫的第一凸块及多个第一焊料层，各该第一焊料层形成于各该第一凸块上且各该第一焊料层具有一锥状凹槽，该锥状凹槽具有一内侧壁；

一第二基板，其具有一第二表面、多个设置于该第二表面的第二导接垫、多个形成于所述第二导接垫的第二凸块及多个第二焊料层，各该第二焊料层形成于各该第二凸块上，各该第二焊料层为一锥状体且具有一外环壁，各该第二焊料层结合于各该第一焊料层且各该第二焊料层容设于各该第一焊料层，各该锥状凹槽的该内侧壁接触各该第二焊料层的该外环壁；以及

一封胶体，其形成于该第一基板及该第二基板之间。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于其中所述的各该第一凸块具有一第一顶面，各该第二焊料层另具有一第二顶面，该第一顶面接触该第二顶面。

3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于其中所述的各该第二凸块具有一锥状环壁，该锥状环壁及该第二表面之间具有一第一夹角，该第一夹角大于90度。

4.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于其中所述的各该第二焊料层的该外环壁及该第二表面之间具有一第二夹角，该第二夹角大于90度。

5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于其中所述的各该锥状凹槽具有一上开口及一下开口，该上开口具有一第一宽度，该下开口具有一第二宽度，该第二宽度小于该第一宽度。

6.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于其中所述的第一凸块及所述第二凸块的材质选自于金、铜、铜/镍或铜/镍/金其中之一。

7.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于其中所述的第一凸块的材质为介电材质。

8.如权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于另包含有多个第一金属柱芯层，各该第一凸块包覆各该第一金属柱芯层且各该第一金属柱芯层具有一第一端及一第二端，各该第一端接触各该第一凸块且各该第二端为显露。

9.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于其中所述的第二凸块的材质为介电材质。

10.如权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于另包含有多个第二金属柱芯层，各该第二凸块包覆各该第二金属柱芯层且各该第二金属柱芯层具有一第三端及一第四端，各该第三端接触各该第二凸块且各该第四端接触各该第二焊料层。

11.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于其中所述的第一焊料层及所述第二焊料层的材质选自于无铅焊料。

12.一种半导体封装方法，其特征在于其至少包含：

提供一第一基板，该第一基板具有一第一表面、多个设置于该第一表面的第一导接垫、多个电性连接于所述第一导接垫的第一凸块及多个第一焊料层，各该第一焊料层形成于各该第一凸块上且各该第一焊料层具有一锥状凹槽，该锥状凹槽具有一内侧壁；

倒装接合一第二基板与该第一基板，该第二基板具有一第二表面、多个设置于该第二表面的第二导接垫、多个电性连接于所述第二导接垫的第二凸块及多个第二焊料层，各该第二焊料层形成于各该第二凸块上，各该第二焊料层为一锥状体且具有一外环壁；

加压加温该第二基板以使各该第二焊料层结合于各该第一焊料层且各该第二焊料层容设于各该第一焊料层，各该锥状凹槽的该内侧壁接触各该第二焊料层的该外环壁；以及

形成一封胶体于该第一基板及该第二基板之间。

13.如权利要求12所述的半导体封装方法，其特征在于其中所述的加压加温该第二基板的步骤中，压力值介于0.4牛顿(N)-120牛顿(N)，温度值介于180℃-460℃。