[发明专利]一种防止磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃薄膜吸水的方法有效
申请号: | 201210100763.4 | 申请日: | 2012-04-09 |
公开(公告)号: | CN102637582A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 肖海波;郑春生;胡学清 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 防止 硅酸盐 玻璃 薄膜 吸水 方法 | ||
1.一种防止磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃薄膜吸水的方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1:在一硅衬底上沉积磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃薄膜;
步骤S2:沉积无定形碳薄膜覆盖所述磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃薄膜的上表面,以防止磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃薄膜在保存时吸水受潮;
步骤S3:确认后续工艺准备好后,进行下一步工艺前,去除所述无定形碳薄膜。
2.根据权利要求1所述的防止磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃薄膜吸水的方法,其特征在于,所述硅衬底为光监控晶圆或产品晶圆。
3.根据权利要求2所述的防止磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃薄膜吸水的方法,其特征在于,所述硅衬底为光监控晶圆时,去除所述无定形碳薄膜后,进行晶圆参数的测量。
4.根据权利要求3所述的防止磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃薄膜吸水的方法,其特征在于,所述晶圆参数包含为晶圆厚度、浓度和应力。
5.根据权利要求2所述的防止磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃薄膜吸水的方法,其特征在于,所述硅衬底为产品晶圆时,在进行下一步工艺前,对该产品晶圆进行高温回流工艺。
6.根据权利要求1-5中任意一项所述的防止磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃薄膜吸水的方法,其特征在于,步骤S2中采用等离子体增强化学气相沉积工艺沉积所述无定形碳薄膜。
7.根据权利要求6所述的防止磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃薄膜吸水的方法,其特征在于,所述无定形碳薄膜的厚度为200A-1000A。
8.根据权利要求7所述的防止磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃薄膜吸水的方法,其特征在于,所述等离子体增强化学气相沉积工艺的温度为300℃-500℃。
9.根据权利要求8所述的防止磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃薄膜吸水的方法,其特征在于,步骤S3中依次采用等离子体灰化工艺和清洗工艺去除所述无定形碳薄膜。
10.根据权利要求9所述的防止磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃薄膜吸水的方法,其特征在于,所述清洗工艺为湿法清洗工艺。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210100763.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造