[发明专利]一种垂直结构氮化镓基发光元件的制作方法

权利要求书

1.一种垂直结构氮化镓基发光元件的制作方法，包括步骤：

提供一临时衬底，在其上外延生长氮化镓基发光外延层，并且所述氮化镓基发光外延层自下而上包括：n型层，发光层和p型层；

在所述发光外延层上定义绝缘区，利用离子注入法将所述绝缘区的发光外延层钝化绝缘；

在所述发光外延层上依次形成金属反射镜、金属键合层；

提供一导电衬底，将其与临时衬底上的发光外延层键合；

移除所述临时衬底，露出一发光外延层的表面；

在所述露出的发光外延层表面上定义切割道，所述切割道位于绝缘区内，利用激光划片沿所述切割道将发光外延层分割为一系列单元，从导电衬底的背面劈裂形成芯粒。

2.根据权利要求1所述的一种垂直结构氮化镓基发光元件的制作方法，其特征在于：所述临时衬底采用蓝宝石、碳化硅、硅、氮化铝、氮化镓其中的一种或者组合。

3.根据权利要求1所述的一种垂直结构氮化镓基发光元件的制作方法，其特征在于：利用离子注入法将所述绝缘区的n型层之上的发光外延层纯化绝缘。

4.根据权利要求1所述的一种垂直结构氮化镓基发光元件的制作方法，其特征在于：利用离子注入法将所述绝缘区的全部发光外延层纯化绝缘。

5.根据权利要求1所述的一种垂直结构氮化镓基发光元件的制作方法，其特征在于：所述绝缘区的宽度为50~100μm，将发光外延层分隔了一系列发光单元。

6.根据权利要求1所述的一种垂直结构氮化镓基发光元件的制作方法，其特征在于：在所述发光外延层的整个上表面上形成金属反射镜。

7.根据权利要求1所述的一种垂直结构氮化镓基发光元件的制作方法，其特征在于：所述导电衬底采用硅、碳化硅、氧化锌、锗、铜、镍、钴、钨其中的一种或其组合。

8.根据权利要求1所述的一种垂直结构氮化镓基发光元件的制作方法，其特征在于：切割道的面积小于绝缘区的面积，所述形成的芯粒的侧壁由钝化绝缘的发光外延层保护。

9.根据权利要求1所述的一种垂直结构氮化镓基发光元件的制作方法，其特征在于：还包括在：在移除临时衬底之后，在露出的发光外延层表面做粗化处理。