[发明专利]一种快速超结纵向双扩散金属氧化物半导体管有效
| 申请号： | 201210101011.X | 申请日： | 2012-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102646709A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;祝靖;张龙;吴逸凡;钱钦松;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 汤志武 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 快速 纵向 扩散 金属 氧化物 半导体 | ||
1.一种快速超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底(1)、N型掺杂硅外延层(2)、超结结构(3)，所述的N型掺杂硅外延层(2)设在N型掺杂硅衬底(1)上，超结结构(3)设在N型硅掺杂半导体区(2)上，所述的超结结构(3)由间隔排列的P型柱(4)和N型柱(5)组成，在P型柱上有第一P型掺杂半导体区(6)，且第一P型掺杂半导体区(6)位于N型掺杂外延层(2)内，在第一P型掺杂半导体区(6)中设有第二P型重掺杂半导体接触区(8)和N型重掺杂半导体源区(7)，在N型柱(5)上方设有栅氧化层(9)，在栅氧化层(9)上方设有多晶硅栅(10)，在多晶硅栅(10)上设有第一型氧化层(11)，在第二P型重掺杂半导体接触区(8)和N型重掺杂半导体源区(7)上连接有源极金属(12)，其特征在于，在N型柱表面有源极埋层(13)，源极埋层(13)包括薄氧化层(14)和薄氧化层上的多晶硅(15)，多晶硅栅(15)和源极金属(12)相连。
2.根据权利要求1所述的快速超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，其特征在于，源极埋层(10)的宽度为10纳米～50微米。
3.根据权利要求1所述的快速超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，其特征在于，薄氧化层(14)的厚度为1纳米～5微米。
4.根据权利要求1所述的快速超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，其特征在于，多晶硅(15)上的栅极氧化层的厚度为1纳米～5微米。
5.根据权利要求1所述的快速超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，其特征在于，多晶硅(15)上的栅极氧化层的宽度10纳米～50微米。
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