[发明专利]甜叶菊同源四倍体植株的培育方法

权利要求书

1.甜叶菊同源四倍体植株的培育方法，其特征在于该方法利用浓度为0.5g/L～2.0g/L的秋水仙素溶液浸泡甜叶菊不定芽12～48h，用无菌水清洗后接种在MS培养基中，培养20～30天获得变异幼苗，再将幼苗接种到生根培养基中，待根长至2～3cm。

2.根据权利要求1所述的甜叶菊同源四倍体植株的培育方法，其特征在于该方法具体包括以下步骤：将不定芽浸泡在含2％二甲基亚砜的浓度为0.5g/L～2.0g/L秋水仙素溶液中，处理12～48h，浸泡后的不定芽用无菌水冲洗3～4次，吸干水接种到MS培养基中，在光照度1500～2000Lx，每天光照12h，温度23～25℃的环境条件下培养20～30天，得到长3～4cm变异幼苗，将幼苗接种到生根培养基中进行生根培养，待根长至2～3cm。

3.根据权利要求1或2所述的甜叶菊同源四倍体植株的培育方法，其特征在于该方法所述的生根培养基的组成为：

1/2MS培养基

。

4.根据权利要求1或2所述的甜叶菊同源四倍体植株的培育方法，其特征在于不定芽的获得包括以下步骤：取甜叶菊植株的嫩芽，灭菌后接种到诱导培养基中，培养温度23～25℃，每日光照12h，光照度1500～2000Lx，培养15～20天，诱导出不定芽。

5.根据权利要求4所述的甜叶菊同源四倍体植株的培育方法，其特征在于所述的灭菌方法是将甜叶菊植株的嫩芽先用洗衣粉洗净，再用流动的清水冲洗1～2h，用75％酒精浸泡30S，无菌水冲洗2～3次之后放入0.10％的升汞溶液中浸泡5～8min，用无菌水冲洗3～4次。

6.根据权利要求4所述的甜叶菊同源四倍体植株的培育方法，其特征在于所述的诱导培养基的组成为：

MS培养基

。

7.根据权利要求1所述的甜叶菊同源四倍体植株的培育方法，其特征在于该方法具体包括以下步骤：

A、不定芽的获得：取甜叶菊植株的嫩芽，先用洗衣粉洗净再用流动的清水冲洗1～2h，用75％酒精浸泡30S，无菌水冲洗2～3次之后放入0.10％的升汞溶液中浸泡5～8min，用无菌水冲洗3～4次。将灭菌后的嫩芽接种到诱导培养基中，诱导培养基组分为：

MS培养基

以日光灯为光源，光照度1500～2000Lx，每天光照12h，温度23～25℃的环境条件下培养15～20天，诱导不定芽；

B、甜叶菊同源四倍体诱导：将不定芽浸泡在加入2％二甲基亚砜的浓度为0.5～2.0g/L秋水仙素溶液中，处理12～48h，浸泡后的不定芽用无菌水冲洗3～4次，吸干水接种到MS培养基中，在光照度1500～2000Lx，每天光照12h，温度23～25℃的环境条件下培养20～30天，得到长3～4cm变异幼苗，将幼苗接种到生根培养基中进行生根培养，生根培养基组分为：

1/2MS培养基

生根培养以日光灯为光源，光照度1500～2000Lx，每天光照12h，温度23～25℃的环境条件下培养20～30天，待根长至2～3cm。

8.根据权利要求1所述的甜叶菊同源四倍体植株的培育方法，其特征在于将确定为四倍体的植株扩繁移栽，具体包括以下步骤：将确定为四倍体的植株切成茎段接种到权利要求6所述的诱导培养基内，待不定芽长至2～3cm，将其转入权利要求3所述的生根培养基中生根培养，苗高3～4cm，根长约2～3cm时进行炼苗移栽。

9.根据权利要求8所述的甜叶菊同源四倍体植株的培育方法，其特征在于所述的炼苗为先在培养室炼苗2～3d，再在温室中炼苗2～3d后洗净根部的培养基，栽到由泥炭∶蛭石∶珍珠岩＝2∶1∶1的基质中。