[发明专利]一种带隙基准自启动电路及无源射频识别标签有效
申请号: | 201210101131.X | 申请日: | 2012-04-09 |
公开(公告)号: | CN102651082A | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
发明(设计)人: | 吴边;王兴意;韩富强;漆射虎 | 申请(专利权)人: | 卓捷创芯科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | G06K19/07 | 分类号: | G06K19/07;G05F1/46 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518067 深圳市南山区蛇*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基准 启动 电路 无源 射频 识别 标签 | ||
1.一种带隙基准自启动电路,所述带隙基准自启动电路与稳压电路或需要基准电压的工作电路连接,其特征在于,所述带隙基准自启动电路包括:
第一开关器件单元,所述第一开关器件单元的高电位端与电源电压连接,用于在截止状态产生第一漏电流;
第二开关器件单元,所述第二开关器件单元的高电位端与所述第一开关器件单元的低电位端连接,所述第二开关器件单元的低电位端接地,用于在截止状态产生小于第一漏电流的第二漏电流,并根据第一漏电流和第二漏电流生成控制电压;
控制单元,所述控制单元的控制端与所述第一开关器件单元的低电位端连接,所述控制单元的输出端接地,用于根据控制电压产生启动控制信号;
带隙基准生成单元,所述带隙基准生成单元的控制端与所述控制单元的输入端连接,所述带隙基准生成单元的电源端与电源电压连接,所述带隙基准生成单元的接地端接地,所述带隙基准生成单元的输出端与所述第二开关器件单元的控制端连接,用于根据启动控制信号生成基准电压,并通过该基准电压控制所述第二开关器件单元休眠。
2.如权利要求1所述的自启动电路,其特征在于,所述第一开关器件单元包括:
多个反向开关器件并联,多个所述反向开关器件的控制端均与其输入端连接,多个反向开关器件的输入端同时为所述第一开关器件单元的高电位端,多个反向开关器件的输出端同时为所述第一开关器件单元的低电位端。
3.如权利要求2所述的自启动电路,其特征在于,所述第二开关器件单元包括:
多个正向开关器件串联,串联后第一个正向开关器件的输入端为所述第二开关器件单元的高电位端,串联后最后一个正向开关器件的输出端为所述第二开关器件单元的低电位端,多个正向开关器件的控制端连接同时为所述第二开关器件单元的控制端。
4.如权利要求1所述的自启动电路,其特征在于,所述第一开关器件单元包括:
所述第一反向开关管、所述第二反向开关管;
所述第一反向开关管的控制端与所述第一反向开关管的输入端连接,所述第二反向开关管的控制端与所述第二反向开关管的输入端连接,所述第一反向开关管的输入端与所述第二反向开关管的输入端连接同时为所述第一开关器件单元的高电位端,所述第一反向开关管的输出端与所述第二反向开关管的输出端连接同时为所述第一开关器件单元的低电位端。
5.如权利要求4所述的自启动电路,其特征在于,所述第一反向开关管和所述第二反向开关管均为P型MOS管,所述第一反向开关管和所述第二反向开关管的输入端均为所述P型MOS管的源极,所述第一反向开关管和所述第二反向开关管的输出端均为所述P型MOS管的漏极,所述第一反向开关管和所述第二反向开关管的控制端均为所述P型MOS管的栅极。
6.如权利要求1所述的自启动电路,其特征在于,所述第二开关器件单元包括:
第一正向开关管MN1、第二正向开关管MN2、第三正向开关管MN3;
所述第一正向开关管的控制端、所述第二正向开关管的控制端、所述第三正向开关管的控制端连接同时为所述第二开关器件单元的控制端,所述第一正向开关管的输入端为所述第二开关器件单元的高电位端,所述第一正向开关管的输出端与所述第二正向开关管的输入端连接,所述第二正向开关管的输出端与所述第三正向开关管的输入端连接,所述第三正向开关管的输出端为所述第二开关器件单元的低电位端。
7.如权利要求6所述的自启动电路,其特征在于,所述第一正向开关管、所述第二正向开关管、所述第三正向开关管均为N型MOS管,所述第一正向开关管、所述第二正向开关管、所述第三正向开关管的输入端均为所述N型MOS管的漏极,所述第一正向开关管、所述第二正向开关管、所述第三正向开关管的输出端均为所述N型MOS管的源极,所述第一正向开关管、所述第二正向开关管、所述第三正向开关管的控制端均为所述N型MOS管的栅极。
8.如权利要求1所述的自启动电路,其特征在于,所述控制单元为N型MOS管,所述N型MOS管的栅极为所述控制单元的控制端,所述N型MOS管的漏极为所述控制单元的输入端,所述N型MOS管的源极为所述控制单元的输出端。
9.一种无源射频识别标签,其特征在于,所述无源射频识别标签中的带隙基准自启动电路为如权利要求1至8任一项所述的自启动电路。
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