[发明专利]用于制造具有弯曲特征的薄膜的方法

权利要求书

1.一种用于制造具有弯曲特征的薄膜的方法，包括：

将第一衬底的第一表面真空接合至第一薄膜层的第一表面，第一衬底的第一表面中形成有多个空穴，第一薄膜层为第二衬底的暴露层，第一薄膜层的第二表面附着至第二衬底的处理层，以及第一薄膜层的第一表面对多个空穴进行密封，以在真空接合完成时形成多个真空腔；

移除第二衬底的处理层，以暴露第一薄膜层的第二表面；

将第一薄膜层的第二表面暴露至流体压力，以使得第一薄膜层在多个空穴上方的区域中弯曲，并且在各个接触位置处与多个空穴的各个底表面接触；以及

对第一薄膜层和第一衬底进行退火处理，以在各个接触位置处形成第一薄膜层与第一衬底之间的永久接合。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：在第一薄膜层的第二表面上沉积第二薄膜层，以使得第二薄膜层与第一薄膜层的第二表面一致，并且在多个空穴之上的区域中包括的多个弯曲部分。

3.如权利要求2所述的方法，其中：

第二薄膜层包括多个子层，并且

沉积第二薄膜层包括在第一薄膜层的第二表面上顺序沉积多个子层中的每一个。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述子层至少包括一个参考电极层、一个溅镀压电层、和一个驱动电极层。

5.如权利要求2所述的方法，其中沉积在退火处理之后执行。

6.如权利要求2所述的方法，还包括：

在沉积了第二薄膜层之后，移除多个空穴的底表面，以打开多个真空腔，并且暴露多个空穴的各侧壁内区域中的第一薄膜层的第一表面。

7.如权利要求6所述的方法，其中移除多个空穴的底表面还包括：

至少蚀刻多个空穴的各侧壁内区域中的第一衬底的第二表面，以使得多个真空腔被打开，并且使得第一薄膜层的第一表面暴露在多个空穴的各侧壁内的区域中，其中第一薄膜层的暴露的第一表面用作蚀刻的蚀刻停止层。

8.如权利要求6所述的方法，还包括：

移除多个空穴的侧壁内区域中的第一薄膜层，以暴露第二薄膜层的弯曲部分，同时在移除第一薄膜层期间和移除第一薄膜层之后，第二薄膜层的弯曲部分保留弯曲。

9.如权利要求8所述的方法，其中移除多个空穴的各侧壁内区域中的第一薄膜层还包括：

蚀刻多个空穴的各侧壁内区域中的第一薄膜层，以暴露第二薄膜层的弯曲部分，其中第二薄膜层的暴露的弯曲部分用作蚀刻停止层，而第一衬底用作蚀刻掩模。

10.如权利要求1所述的方法，还包括：

通过图案化的光致抗蚀剂层来选择性地蚀刻第一衬底的第一表面以形成多个空穴，图案化的光致抗蚀剂层分别限定了多个空穴的横向尺寸和位置；以及

在多个空穴达到预定深度之后，从第一衬底的第一表面移除图案化的光致抗蚀剂层。

11.如权利要求10所述的方法，其中选择性蚀刻为干法蚀刻。

12.如权利要求10所述的方法，其中多个空穴的各个底表面足够光滑从而能够与另一衬底接合。

13.如权利要求1所述的方法，其中将第一衬底的第一表面真空接合至第一薄膜层的第一表面还包括：

在硅衬底上形成氧化物或氮化物层；以及

在真空环境中将氧化物或氮化物层的暴露表面接合至第一衬底的第一表面。

14.如权利要求1所述的方法，还包括：

在第一衬底的第一表面中形成多个空穴。

15.如权利要求1所述的方法，其中将第一薄膜层的第二表面暴露至流体压力包括：

将第一薄膜层的第二表面暴露至大气压力。

16.如权利要求1所述的方法，其中多个空穴具有5-15微米的深度。

17.如权利要求1所述的方法，其中多个空穴分别具有150-200微米的横向尺寸。

18.如权利要求1所述的方法，其中第一薄膜层具有1-2微米的厚度。