[发明专利]双EUV照射均匀性校正系统和方法有效
申请号: | 201210101727.X | 申请日: | 2012-04-09 |
公开(公告)号: | CN102736443A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 理查德·卡尔·齐默曼 | 申请(专利权)人: | ASML控股股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴敬莲 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | euv 照射 均匀 校正 系统 方法 | ||
1.一种光刻设备,包括:
照射系统,配置成调节辐射束,所述照射系统包括定位在配置成在用所述辐射束照射时接纳大致恒定的光瞳的平面处的均匀性校正系统,所述均匀性校正系统包括:
指状件,配置成可移动成与辐射束相交和移出辐射束不与之相交,以便校正所述辐射束的各个部分的强度,和
致动装置,耦接至所述指状件中的对应的指状件和配置成移动所述对应的指状件,
其中每一所述指状件的尖端的宽度大于所述致动装置的宽度;
支撑结构,配置成保持图案形成装置,所述图案形成装置配置成图案化所述被调节的辐射束;
衬底台,配置成保持衬底;和
投影系统,配置成将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上。
2.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述指状件布置成在各自的第一平面和第二平面中的第一组和第二组,所述第一平面和第二平面沿着垂直于所述平面的方向彼此分开,其中每一指状件的宽度大于所述指状件之间的间距,使得相邻的指状件重叠。
3.根据权利要求2所述的光刻设备,其中由所述指状件校正的辐射的强度变化的最小空间周期小于所述指状件尖端的宽度。
4.根据权利要求2所述的光刻设备,其中所述辐射的强度变化的最小空间周期是大约所述指状件尖端的尺寸的一半。
5.根据权利要求2所述的光刻设备,其中所述尖端的宽度是大约7mm,所述辐射的强度变化的最小空间周期是大约4mm。
6.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述指状件布置成分别在第一平面、第二平面、第三平面和第四平面中的第一组、第二组、第三组和第四组,所述第一平面、第二平面、第三平面和第四平面沿着垂直于所述平面的方向彼此分开,其中每一指状件的宽度大于所述指状件之间的间距,使得相邻的指状件重叠。
7.根据权利要求6所述的光刻设备,其中由所述指状件校正的辐射的强度变化的最小空间周期小于所述指状件尖端的宽度。
8.根据权利要求6所述的光刻设备,其中所述辐射的强度变化的最小空间周期是大约所述指状件尖端的尺寸的一半。
9.根据权利要求6所述的光刻设备,其中所述尖端的宽度是大约3mm,辐射的强度变化的最小空间周期是大约2mm。
10.一种器件制造方法,包括:
将辐射束聚焦在第一平面处,以便在所述第一平面处形成大致恒定的光瞳;
通过将定位在所述第一平面附近的指状件移动到所述辐射束的路径中和移动到所述辐射束的路径外面,来调节靠近所述第一平面的辐射束的强度,
其中所述指状件中的每一个的尖端的宽度大于用于移动所述指状件中的每一对应的指状件的对应的致动装置的宽度;
将所述辐射束引导到图案形成装置上以图案化所述辐射束;和
将所述图案化的辐射束投影到衬底上。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述指状件布置成分别在第一平面和第二平面中的第一组和第二组,所述第一平面和第二平面沿着垂直于所述平面的方向彼此分开,其中每一指状件的宽度大于所述指状件之间的间距,使得相邻的指状件重叠。
12.一种均匀性校正系统,包括:
指状件,配置成可移动成与辐射束相交和移出辐射束不与之相交,以便校正所述辐射束的各个部分的强度,所述辐射束定位在配置成在用所述辐射束照射时接纳大致恒定的光瞳的平面处,和
致动装置,耦接至所述指状件中的对应的指状件和配置成移动所述对应的指状件,
其中所述每一指状件的尖端的宽度大于所述致动装置的宽度。
13.根据权利要求12所述的均匀性校正系统,其中所述指状件布置成分别在第一平面和第二平面中的第一组和第二组,所述第一平面和第二平面沿着垂直于所述平面的方向彼此分开,其中每一指状件的宽度大于所述指状件之间的间距,使得相邻的指状件重叠。
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