[发明专利]形成掺杂区的方法、太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种在太阳能电池中形成掺杂区的方法，所述方法包括：

制备基底的第一表面和基底的与第一表面相对的第二表面；

在第一表面的一部分中形成掺杂有第一掺杂剂的第一掺杂区；

在第一表面上形成氧化硅层，氧化硅层包括第一氧化硅层和第二氧化硅层，其中，第一氧化硅层位于第一掺杂区上且具有第一厚度，第二氧化硅层位于第一表面的未被第一掺杂剂掺杂的部分上并且具有比第一厚度小的第二厚度；

从第一表面的外部向第一氧化硅层和第二氧化硅层中注入第二掺杂剂；以及

通过对第一氧化硅层、第二氧化硅层和基底执行热处理形成与第一掺杂区相邻的第二掺杂区。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成第一掺杂区的步骤包括将第一掺杂剂注入到第一表面中并使注入的第一掺杂剂活化。

3.如权利要求2所述的方法，其中，注入的第一掺杂剂的活化与氧化硅层的形成同时进行。

4.如权利要求1所述的方法，其中，第一氧化硅层的第一厚度大于

5.如权利要求4所述的方法，其中，第一氧化硅层的第一厚度大于

6.如权利要求1所述的方法，其中，第一掺杂区和第二掺杂区彼此分开。

7.如权利要求6所述的方法，其中，第一掺杂区和第二掺杂区彼此分开100μm以上。

8.如权利要求6所述的方法，所述方法还包括：

在第一掺杂区和第二掺杂区之间用比第一掺杂区的离子浓度低的离子浓度注入第一掺杂剂；

在第一掺杂区和第二掺杂区之间用比第二掺杂区的离子浓度低的离子浓度注入第二掺杂剂。

9.如权利要求8所述的方法，其中，在第一掺杂区和第二掺杂区之间注入第一掺杂剂的步骤与将第一掺杂剂注入到第一掺杂区的步骤同时执行。

10.如权利要求8所述的方法，其中，在将第一掺杂剂注入到第一掺杂区之后，执行在第一掺杂区和第二掺杂区之间注入第一掺杂剂的步骤。

11.如权利要求8所述的方法，其中，第一掺杂区和第二掺杂区之间的区域包括中间化区域，其中，在中间化区域中第一掺杂剂的浓度高于第二掺杂剂的浓度。

12.如权利要求8所述的方法，其中，第一掺杂区和第二掺杂区之间的区域包括中间化区域，其中，在中间化区域中第一掺杂剂的浓度低于第二掺杂剂的浓度。

13.如权利要求1所述的方法，其中，形成第一掺杂区的步骤包括：

将硬掩模定位成靠近基底的第一表面，硬掩模具有至少一个离子透过部分和位于所述至少一个离子透过部分的离子透过部分之间的离子阻挡部分；

将第一掺杂剂注入到第一表面的与所述至少一个离子透过部分对应的部分中。

14.如权利要求13所述的方法，其中，所述至少一个离子透过部分为闭合多边形的形状，其中，所述至少一个离子透过部分中相邻的离子透过部分是分开的。

15.如权利要求13所述的方法，其中，硬掩模还包括与所述至少一个离子透过部分接触的离子半透过部分。

16.如权利要求15所述的方法，其中，硬掩模的离子半透过部分比离子阻挡部分薄。

17.如权利要求15所述的方法，其中，在离子半透过部分中形成面积比所述至少一个离子透过部分的面积小的至少一个微开口。

18.如权利要求13所述的方法，所述方法还包括在第一掺杂区的外围形成中间化区域，

其中，形成中间化区域的步骤包括：将硬掩模设置得靠近第一表面，硬掩模在用于形成中间化区域的离子透过部分和相邻的用于形成该中间化区域的离子透过部分之间具有离子阻挡部分；通过离子透过部分将第一掺杂剂注入到第一表面，

其中，离子透过部分比第一掺杂区大并且对应于第一掺杂区的位置设置。

19.如权利要求18所述的方法，其中，形成中间化区域的步骤在形成第一掺杂区之后进行。

20.如权利要求18所述的方法，其中，形成中间化区域的步骤在形成第一掺杂区之前进行。

21.如权利要求1所述的方法，其中，第一掺杂区的第一掺杂剂为n型材料，其中，第二掺杂区的第二掺杂剂为p型材料。