[发明专利]一种时钟信号传输装置无效
申请号: | 201210102132.6 | 申请日: | 2012-04-09 |
公开(公告)号: | CN103367355A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 郭磊;李园 | 申请(专利权)人: | 郭磊;李园 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张大威 |
地址: | 100084 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 时钟 信号 传输 装置 | ||
1.一种时钟信号传输装置,其特征在于,包括:
电路芯片,其中,所述电路芯片具有至少一个光电转换器;
发光器件,所述发光器件用于发出具有调制的时钟信号的光信号;
调制器,所述用于根据所述时钟信号对所述发光器件进行调制,以产生对应的光信号;以及
导光板,所述导光板与所述电路芯片接触,且所述导光板的进光面与所述发光器件接触,所述导光板用于将所述光信号导向至所述电路芯片中的至少一个光电转换器,以使所述至少一个光电转换器根据所述光信号生成相应的时钟信号。
2.如权利要求1所述的时钟信号传输装置,其特征在于,所述发光器件为发光二极管(LED)、谐振发光二极管(RC_LED)、激光二极管(LD)、有机发光二极管(OLED)或量子点发光器件,所述发光器件用于发出调制后的光信号。
3.如权利要求1所述的时钟信号传输装置,其特征在于,所述光电转换器为Si、SiGe、Ge或III-V族半导体材料的光电探测器。
4.如权利要求1所述的时钟信号传输装置,其特征在于,所述调制器集成在所述电路芯片或所述发光器件上。
5.如权利要求1所述的时钟信号传输装置,其特征在于,还包括:时钟产生模块,所述时钟产生模块集成在所述电路芯片上或者为片外独立芯片。
6.如权利要求1所述的时钟信号传输装置,其特征在于,所述电路芯片与所述发光器件通过封装的方式集成在一起。
7.如权利要求1所述的时钟信号传输装置,其特征在于,所述发光器件通过外延生长方式形成在所述电路芯片的衬底上。
8.如权利要求7所述的时钟信号传输装置,其特征在于,所述发光器件为片上异质集成的III-V族或II-VI族材料发光器件。
9.如权利要求1所述的时钟信号传输装置,其特征在于,当所述电路芯片面积较小时,可以无需所述导光板,直接连接所述电路芯片到所述发光器件上。
10.如权利要求1所述的时钟信号传输装置,其特征在于,所述光信号为不同颜色光形成的复合光信号。
11.如权利要求1所述的时钟信号传输装置,其特征在于,还包括:
至少一个解调器,每个解调器与一个所述光电转换器对应,用于对所述电信号进行解调以生成对应的时钟信号。
12.如权利要求1所述的时钟信号传输装置,其特征在于,所述导光板包括:
导光层,所述导光层分别与所述电路芯片和发光器件相接触;以及
反光层,所述反光层位于所述导光层与所述电路芯片和所述发光器件的非接触面。
13.如权利要求1所述的时钟信号传输装置,其特征在于,当所述光信号为不被Si材料吸收的远红外光时,利用所述电路芯片的Si衬底材料作为所述导光板。
14.如权利要求1所述的时钟信号传输装置,其特征在于,所述电路芯片内,所述光电转换器与所述导光板之间填充有透明介质,所述光电转换器以外的位置与所述导光板之间具有遮光结构。
15.如权利要求1所述的时钟信号传输装置,其特征在于,所述每个光电转换器与所述导光板之间具有光子晶体结构,以通过所述光子晶体结构以实现不同波长光的选择性通过或截止。
16.如权利要求1所述的时钟信号传输装置,其特征在于,在垂直方向上包括多层堆叠的所述电路芯片,每相邻的所述电路芯片之间包括导光层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的