[发明专利]半透半反液晶显示阵列基板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201210102142.X | 申请日: | 2012-04-09 |
公开(公告)号: | CN102681245A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 王灿;郭炜 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335;G02F1/1368;H01L27/02;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半透半反 液晶显示 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种半透半反液晶显示阵列基板,包括基板以及设置在所述基板上的薄膜晶体管,其特征在于,
在所述薄膜晶体管上设置有黑矩阵以及位于黑矩阵上的反射层。
2.根据权利要求1所述的半透半反液晶显示阵列基板,其特征在于,所述黑矩阵上形成有多个突起。
3.根据权利要求2所述的半透半反液晶显示阵列基板,其特征在于,所述突起形成于阵列基板的薄膜晶体管器件区域。
4.根据权利要求1所述的半透半反液晶显示阵列基板,其特征在于,所述反射层形成于黑矩阵的突起上。
5.根据权利要求4所述的半透半反液晶显示阵列基板,其特征在于,所述反射层为具有反射作用的金属层。
6.根据权利要求5所述的半透半反液晶显示阵列基板,其特征在于,用于形成所述反射层的金属层的材料具体为钼或铝钕。
7.一种半透半反液晶显示面板,其特征在于,所述半透半反液晶显示面板包括如权利要求1-6任一项所述的阵列基板,还包括与所述阵列基板相对盒的彩膜基板。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求7所述的半透半反液晶显示面板。
9.一种半透半反液晶显示阵列基板制造方法,其特征在于,包括:
在基板上形成薄膜晶体管;
在所述形成有薄膜晶体管的基板上沉积保护层,并进行构图工艺;
在所述保护层上形成像素电极层,对像素电极层经过一次构图工艺,形成与保护层同面积的像素电极层,所述像素电极层和漏极连接;
在所述基板的薄膜晶体管、栅线及数据线上形成黑矩阵;
在所述黑矩阵上形成反射层。
10.根据权利要求9所述的半透半反液晶显示阵列基板制造方法,其特征在于,在所述形成有薄膜晶体管的基板上形成黑矩阵包括:
在所述基板上涂布黑色光刻胶;
利用灰色调掩模板或半透式掩模板对所述黑色光刻胶进行构图工艺处理后形成黑色光刻胶完全保留区域、黑色光刻胶半保留区域和黑色光刻胶完全去除区域;其中,在像素单元中,所述黑色光刻胶完全保留区域与黑色光刻胶半保留区域对应黑矩阵位于薄膜晶体管器件区域,所述黑色光刻胶完全去除区域对应黑矩阵位于像素电极所在区域。
11.根据权利要求10所述的半透半反液晶显示阵列基板制造方法,其特征在于,突起形成于阵列基板的薄膜晶体管器件区域。
12.根据权利要求9所述的半透半反液晶显示阵列基板制造方法,其特征在于,所述反射层形成于黑矩阵的突起上。
13.根据权利要求12所述的半透半反液晶显示阵列基板制造方法,其特征在于,所述反射层为具有反射作用的金属层。
14.根据权利要求13所述的半透半反液晶显示阵列基板制造方法,其特征在于,用于形成所述反射层的金属层的材料具体为钼或铝钕。
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