[发明专利]透明导电膜用蚀刻液组合物无效
| 申请号： | 201210102517.2 | 申请日： | 2012-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN102732254A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 山口隆雄;石川典夫 | 申请（专利权）人： | 关东化学株式会社 |
| 主分类号： | C09K13/08 | 分类号： | C09K13/08;C09K13/04;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京高文律师事务所 11359 | 代理人： | 徐江华 |
| 地址： | 日本国东*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 导电 蚀刻 组合 | ||
1.一种结晶质透明导电膜用蚀刻液组合物，包含含有1～10重量％的氟化合物的水溶液。
2.根据权利要求1所述的结晶质透明导电膜用蚀刻液组合物，结晶质透明导电膜是通过X射线衍射法检出In2O3的(222)峰的结晶质ITO铟锡氧化物膜。
3.根据权利要求1或2所述的结晶质透明导电膜用蚀刻液组合物，结晶质透明导电膜在250℃以上退火形成。
4.根据权利要求1或2所述的结晶质透明导电膜用蚀刻液组合物，结晶质透明导电膜是不溶解于草酸的结晶质ITO铟锡氧化物膜。
5.根据权利要求1或2所述的结晶质透明导电膜用蚀刻液组合物，结晶质透明导电膜是具有铜和/或铜合金的结晶质ITO膜。
6.根据权利要求1或2所述的结晶质透明导电膜用蚀刻液组合物，水溶液不含有硝酸以及氯化钙。
7.根据权利要求1或2所述的结晶质透明导电膜用蚀刻液组合物，进一步含有高氯酸。
8.根据权利要求1或2所述的结晶质透明导电膜用蚀刻液组合物，氟化合物是含有选自氟化氢、氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟化氢铵、氟化氢钠、四氟化硅、六氟硅酸、六氟硅酸盐、氟硼酸和氟硼酸盐中的一种或者两种以上的化合物。
9.根据权利要求8所述的结晶质透明导电膜用蚀刻液组合物，氟化合物是氟化氢。
10.根据权利要求1或2所述的结晶质透明导电膜用蚀刻液组合物，进而含有芳香族的聚磺酸及其盐作为表面活性剂。
11.一种结晶质ITO膜的蚀刻处理方法，具有铜和/或铜合金膜的结晶质ITO膜形成在基板上，包括使用权利要求1～10中的任意一项所述的结晶质透明导电膜用蚀刻液组合物对结晶质ITO膜进行蚀刻的工序。
12.一种触摸面板用的结晶质ITO膜的蚀刻处理方法，具有铜和/或铜合金膜的结晶质ITO膜形成在基板上，包括使用权利要求1～10中的任意一项所述的结晶质透明导电膜用蚀刻液组合物对结晶质ITO膜进行蚀刻的工序。
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