[发明专利]薄TIM无核高密度无凸点封装的形成方法和由此形成的结构有效
| 申请号： | 201210102542.0 | 申请日： | 2008-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102637675A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 汤加苗;D·陆;赵柔刚 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/683;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 邢德杰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tim 无核 高密度 无凸点 封装 形成 方法 由此 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种结构，包括：
设置在封装结构的积层上的薄管芯，其中设置在所述积层上的所述薄管芯的顶面与邻近的支承环的顶面基本齐平，所述邻近的支承环被设置为邻近所述薄管芯的至少两个侧面；
设置在所述薄管芯的后侧上的TIM；以及
设置在所述TIM上以及设置在所述邻近的支承环的一部分上的散热片。
2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括设置在所述管芯的侧壁和所述邻近的支承环中的至少一个之间的包封剂。
3.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述管芯具有在约25微米至约500微米之间的厚度。
4.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述TIM具有在约10微米至约150微米之间的厚度。
5.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述管芯在不使用凸点的情况下与所述积层电连接。
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