[发明专利]采用注入的自对准图案化有效
申请号: | 201210102555.8 | 申请日: | 2012-04-09 |
公开(公告)号: | CN103187263A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 解子颜 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;H01L21/3105;H01L21/265 |
代理公司: | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人: | 陆鑫;房岭梅 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 采用 注入 对准 图案 | ||
1.一种制造多个部件的方法,所述方法包括:
在硅层上方形成介电层;
蚀刻所述介电层和所述硅层,以在所述介电层和所述硅层中形成多个第一孔径,其中,将所述多个第一孔径的邻近孔径分开第一间距;
在所述介电层中蚀刻多个第二孔径,所述多个第二孔径中的每个孔径都具有比所述多个第一孔径中的相应孔径更大的宽度并且以所述多个第一孔径中的相应孔径为中心;
将多个掺杂剂注入到通过所述介电层中的所述多个第二孔径对准的所述硅层中,其中,将所述硅层的掺杂部分分开小于所述第一间距的第二间距;以及
去除所述硅层的未掺杂部分。
2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
在所述介电层上方提供经图案化的光刻胶,所述经图案化的光刻胶具有分开所述第一间距的多个孔径;
通过所述经图案化的光刻胶的所述多个孔径蚀刻所述介电层和所述硅层,从而在所述介电层和所述硅层中形成所述多个第一孔径;以及
去除所述经图案化的光刻胶。
3.根据权利要求1所述的方法,进一步包括,在所述硅层下方提供氮化物层。
4.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
在所述介电层中蚀刻多个第三孔径,所述多个第三孔径中的每个孔径都具有比所述多个第二孔径中的相应孔径更大的宽度,并且以所述多个第二孔径中的相应孔径为中心;
通过所述介电层中的所述多个第三孔径在所述硅层上方提供图膜;
去除所述介电层以通过所述图膜暴露出部分所述硅层;以及
通过所述图膜注入暴露的所述硅层。
5.根据权利要求4所述的方法,进一步包括:
通过灰化去除所述图膜;以及
通过TMAH去除所述硅层的未掺杂部分,从而提供分开所述第二间距的所述硅层的掺杂部分。
6.一种制造多个部件的方法,所述方法包括:
在硅层上方提供介电层;
蚀刻所述介电层和所述硅层,以在所述介电层和所述硅层中形成多个第一孔径,其中,将所述多个第一孔径中的邻近孔径分开第一间距;
在所述介电层中蚀刻多个第二孔径,所述多个第二孔径中的每个孔径都具有比所述多个第一孔径中的相应孔径更大的宽度,并且以所述多个第一孔径中的相应孔径为中心;
将第一多个掺杂剂注入到通过所述介电层中的所述多个第二孔径对准的所述硅层中;
在所述介电层中蚀刻多个第三孔径,所述多个第三孔径中的每个孔径都具有比所述多个第二孔径中的相应孔径更大的宽度,并且以所述多个第二孔径中的相应孔径为中心;
通过所述介电层中的所述多个第三孔径在所述硅层上方提供图膜;
去除所述介电层以通过所述图膜暴露出部分所述硅层;
通过所述图膜将第二多个掺杂剂注入到暴露的所述硅层中,其中,将所述硅层的掺杂部分分开小于所述第一间距的第二间距;以及
去除所述硅层的未掺杂部分。
7.根据权利要求6所述的方法,进一步包括:
在所述介电层上方提供经图案化的光刻胶,所述经图案化的光刻胶具有分开所述第一间距的多个孔径;
通过所述经图案化的光刻胶的所述多个孔径蚀刻所述介电层和所述硅层,从而在所述介电层和所述硅层中形成所述多个第一孔径;以及
去除所述经图案化的光刻胶。
8.根据权利要求6所述的方法,进一步包括,在所述硅层下方提供氮化物层。
9.根据权利要求6所述的方法,进一步包括:
通过灰化去除所述图膜;以及
通过TMAH去除所述硅层的未掺杂部分,从而提供分开所述第二间距的所述硅层的掺杂部分。
10.一种制造多个部件的方法,所述方法包括:
在硅层上方提供介电层;
蚀刻所述介电层和所述硅层,以在所述介电层和所述硅层中形成多个第一孔径,其中,将所述多个第一孔径中的邻近孔径分开第一间距;
在所述介电层中蚀刻多个第二孔径,所述多个第二孔径中的每个孔径都具有比所述多个第一孔径中的相应孔径更大的宽度,并且以所述多个第一孔径中的相应孔径为中心;
将第一多个掺杂剂注入到通过所述介电层中的所述多个第二孔径对准的所述硅层中;
在所述介电层中蚀刻多个第三孔径,所述多个第三孔径中的每个孔径都具有比所述多个第二孔径中的相应孔径更大的宽度,并且以所述多个第二孔径中的相应孔径为中心;
通过所述介电层中的所述多个第三孔径在所述硅层上方提供图膜;
去除所述介电层以通过所述图膜暴露出部分所述硅层;
通过所述图膜将第二多个掺杂剂注入到暴露的所述硅层中,其中,将所述硅层的掺杂部分分开第二间距,所述第二间距是所述第一间距的三分之一;
去除所述图膜;以及
去除所述硅层的未掺杂部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造