[发明专利]一种晶体硅太阳电池扩散死层的去除方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳电池扩散死层的去除方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 将扩散后的硅片表面丝网印刷一层腐蚀性浆料，然后烘干；(2) 去除上述腐蚀性浆料；

所述腐蚀性浆料包括如下组分：以质量计，季氨碱10~50%，松油醇10~40%，乙基纤维素10~50%；

所述腐蚀性浆料的黏度为100~300 Pa·s。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池扩散死层的去除方法，其特征在于：所述步骤(1)中，扩散后的硅片为去除杂质玻璃后的硅片。

3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池扩散死层的去除方法，其特征在于：所述步骤(2)中，采用酸洗液清洗去除腐蚀性浆料；所述酸洗液为氢氟酸和盐酸的混合溶液，两者的体积比为3：1~2。

4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池扩散死层的去除方法，其特征在于：所述季氨碱为氢氧化四甲胺。

5.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池扩散死层的去除方法，其特征在于：所述步骤(1)中的烘干在烘干炉中进行，其烘干温度为250~350℃，带速为200~300cm/min。