[发明专利]发光器件、发光器件封装件及包括其的照明系统

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

衬底；

设置在所述衬底上的第一导电型半导体层；

设置在所述第一导电型半导体层的一部分上的有源层；

设置在所述有源层上的第二导电型半导体层；

设置在所述第二导电型半导体层上的第一电极；以及

设置在所述第一导电型半导体层的其它部分上的第二电极，

其中在所述第二导电型半导体层、所述有源层或所述第一导电型半导体层的一部分处形成有沟槽，使得所述沟槽设置在所述第一电极下。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述沟槽为沿平行于所述衬底的延伸方向延伸。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述沟槽形成为与所述第一导电型半导体层的其上形成有所述第二电极的表面处于同一水平，使得所述沟槽和所述第二电极相邻设置。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述沟槽形成为与所述第一导电型半导体层的其上形成有所述第二电极的表面处于不同的水平，使得所述沟槽和所述第二电极相邻设置。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述沟槽的厚度大于所述第二电极的厚度。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述沟槽的厚度小于所述第二电极的厚度。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述沟槽的表面处形成有粗糙结构。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光器件，其中从所述第一导电型半导体层的与所述衬底相对侧的表面到所述沟槽的高度是所述第一导电型半导体层的总厚度的30％到80％。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的发光器件，其中所述沟槽的宽度等于所述第二导电型半导体层的总宽度的20％到40％。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的发光器件，其中所述沟槽的厚度等于所述第一导电型半导体层的总厚度的0.25％到25％。

11.根据权利要求1至7中任一项所述的发光器件，其中从所述第一导电型半导体层的与所述衬底相对侧的表面到所述沟槽的高度是1μm到2μm。

12.根据权利要求1至7中任一项所述的发光器件，其中所述沟槽的宽度是20μm到40μm。

13.根据权利要求1至7中任一项所述的发光器件，其中所述沟槽的厚度是到

14.根据权利要求1至7中任一项所述的发光器件，还包括设置在所述衬底与所述第一导电型半导体层之间的反射层。

15.根据权利要求1至7中任一项所述的发光器件，还包括设置在所述有源层与所述第二导电型半导体层之间的电子阻挡层。

16.根据权利要求1至7中任一项所述的发光器件，其中从所述衬底到所述第一电极的上表面的距离与从所述衬底到所述第二电极的上表面的距离相等。

17.根据权利要求1至7中任一项所述的发光器件，其中从所述衬底到所述第一电极的上表面的距离与从所述衬底到所述第二电极的上表面的距离不同。

18.一种发光器件，包括：

衬底；

设置在所述衬底上的第一导电型半导体层；

设置在所述第一导电型半导体层的一部分上的有源层；

设置在所述有源层上的第二导电型半导体层；

设置在所述第二导电型半导体层上的透光导电层；

设置在所述透光导电层上的第一电极；以及

设置在所述第一导电型半导体层的其它部分上的第二电极；

其中在所述第二导电型半导体层、所述有源层或所述第一导电型半导体层的一部分处形成有沟槽，使得所述沟槽设置在所述第一电极下。

19.根据权利要求1或18所述的发光器件，其中所述沟槽设置为与所述第二电极相邻。

20.根据权利要求18所述的发光器件，其中所述透光导电层设置为暴露出所述第二导电型半导体层的上表面的一部分，并且所述第一电极设置在所述第二导电型半导体层的所述暴露出的部分上和所述透光导电层的上部上。