[发明专利]Cu-Mn合金溅射靶材、使用其的薄膜晶体管配线以及薄膜晶体管无效
| 申请号： | 201210103592.0 | 申请日： | 2012-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN102994952A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 辰巳宪之;上田孝史郎 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/34;C23C14/16;H01L29/786;H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cu mn 合金 溅射 使用 薄膜晶体管 以及 | ||
【权利要求书】：
1.一种Cu-Mn合金溅射靶材，其特征在于，是在半导体元件的配线的形成中所使用的Cu-Mn合金溅射靶材，其由含有浓度为8原子％以上30原子％以下的Mn和不可避免的杂质的Cu-Mn合金构成，所述Cu-Mn合金的平均结晶粒径为10μm以上50μm以下。
2.一种薄膜晶体管配线，其特征在于，在基板上具有依次形成有Cu-Mn合金膜、纯Cu膜和Cu-Mn合金膜的层叠结构，所述Cu-Mn合金膜的至少一方使用权利要求1所述的Cu-Mn合金溅射靶材来形成，并由含有浓度为8原子％以上30原子％以下的Mn和不可避免的杂质的Cu-Mn合金构成。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管配线，其特征在于，所述Mn的浓度为8原子％以上30原子％以下的所述Cu-Mn合金膜中的所述Mn的浓度的标准差为不足0.05原子％。
4.一种薄膜晶体管，其特征在于，权利要求2或3所述的薄膜晶体管配线隔着由InGaZnO膜构成的氧化物半导体而形成在所述基板上。
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