[发明专利]一种工艺基底边缘场的调平方法有效
申请号: | 201210104002.6 | 申请日: | 2012-04-11 |
公开(公告)号: | CN103365125A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 王献英;李术新;段立峰 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司 |
主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00;G03F7/20 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 王光辉 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 工艺 基底 边缘 平方 | ||
1.一种工艺基底边缘场的调平方法,其特征在于,包括:
步骤一:基底划分为若干曝光场,所述曝光场分为内场和所述边缘场,测量部分所述曝光场的特征图形,即在部分曝光场上沿同一方向采样高度值及倾斜值,记为zj、Rxj、Ryj,j表示某个采样点;
步骤二:根据采样的每个曝光场内采样点的数量,分别计算所述采样点的高度值及倾斜值的平均值 、、,分别计算每个曝光场所述采样点的高度值及倾斜值和所述平均值的差值z、Rx、Ry;
步骤三:根据采样的曝光场的数量,对所述差值进行平均得到差值平均值、、;
步骤四:开始曝光,当曝光到边缘场时内沿所述同一方向采样高度值及倾斜值zj、Rxj、Ryj;
步骤五:将步骤三的差值平均值补偿至步骤四的高度值及倾斜值上,得到实际值、、;
步骤六:根据步骤五所获得的实际值计算所述边缘场曝光所需的垂向参考参数、垂向调平参数;
步骤七:根据所述垂向调平参数对所述边缘场进行垂向控制和调焦调平。
2.如权利要求1所述的调平方法,其特征在于,所述步骤一和步骤四的采样间距相同。
3.如权利要求1所述的调平方法,其特征在于,所述步骤一和步骤四的采样间距不同,步骤五中要对步骤四的高度值及倾斜值采用线性插值法换算后再进行补偿。
4.如权利要求1所述的调平方法,其特征在于,所述步骤二中所述差值平均值、、的计算公式如下:
,,;
,,;
,,;
其中,i为第i个采样的曝光场, n为采样的曝光场的数量,j为第j个采样点,m为曝光场内采样点的数量。
5.如权利要求2或3所述的调平方法,其特征在于,所述所述采样间距的取值范围为0.1mm至1mm。
6.如权利要求4所述的调平方法,其特征在于,所述步骤五中所述的补偿后的实际值为:
;
;
;
其中,zj、Rxj、Ryj分别为步骤四中的高度值及倾斜值。
7.如权利要求1所述的调平方法,其特征在于,所述步骤一中当对所述部分曝光场中的边缘场进行采样时,所述边缘场大小应当能使采样区域沿采样方向大于等于一定长度,并且该长度能满足调焦调平的精度需求,否则将不对所述边缘场进行采样和计算;当所述边缘场能满足所述精度需求时,则仅对满足需求的所述边缘场进行采样和计算。
8.如权利要求7所述的调平方法,其特征在于,所述长度大于等于4mm。
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