[发明专利]一种对触控面板中的黑矩阵进行图案化的方法

说明书

技术领域

本发明涉及触控面板，尤其涉及对该触控面板中的黑矩阵进行图案化的方法。

背景技术

当前，对于广泛应用在电子产品中用以显示图像的薄膜液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)而言，其可称为继集成电路(IC)后最重要的电子产品之一。尤其地，薄膜制程为薄膜液晶显示器的发展中最重要的一环，也占有最高的资本支出。若能针对关键制程、设备及原料的研究和开发，即可节省大量的购置成本，以提升产业竞争力。

以触控面板为例，在彩色滤光片玻璃基板的底层镀有一层金属膜，也被称为黑矩阵(Black Matrix，BM)。该黑矩阵的主要功能包括提高颜色对比度、防止颜色混杂和防止漏光。一般地，为了满足黑矩阵的上述功能，应当采用多层膜干涉的原理，形成具有低反射率(高对比)、高光学密度(防止颜色混杂和漏光)且总厚度约为100～300nm的BM多层膜。例如，BM的制作主要采用溅镀方式，其普遍采用的材质为铬或氧化铬、钼或氧化钼及氮化铬，以完成BM多层膜的干涉溅镀。

然而，现有技术中，湿热测试之后在FPC粘合区域内的BM剥离的情形只会在有机材料制成的BM中发生，而不会在无机材料制成的BM中发生。此外，对于以有机材料BM为主的TFT阵列制造来说，转换成无机显影剂和回收系统也是较为繁琐的，而且转换成本十分昂贵。

有鉴于此，如何设计一种新颖的薄膜制程，以便解决触控面板的BM剥离情形，降低制造或转换成本，是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。

发明内容

针对现有技术中的BM剥离制程所存在的上述缺陷，本发明提供了一种对触控面板中的黑矩阵进行图案化的方法。

依据本发明的一个方面，提供了一种对触控面板中的黑矩阵进行图案化的方法，包括以下步骤：

提供一玻璃基板和一缓冲层，所述缓冲层位于所述玻璃基板的上方；

提供一剥胶遮罩层于所述缓冲层的上方，其中，所述剥胶遮罩层覆盖所述触控面板的显示区；

涂敷一无机材料的黑矩阵层于所述缓冲层和所述剥胶遮罩层各自的表面；以及

剥离所述剥胶遮罩层，以形成图案化的黑矩阵层。

优选地，在上述涂敷黑矩阵层的步骤之后还包括：提供一第二缓冲层于所述黑矩阵层的上方；以及涂敷一金属层于所述第二缓冲层的上表面。

优选地，该金属层为一透明电极层。更优选地，透明电极层由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)材料制成。

优选地，该触控面板采用单片式玻璃触控(OGS，One Glass Solution)工艺进行制作。

采用本发明的对触控面板的黑矩阵进行图案化的方法，设置一剥胶遮罩层于缓冲层的上方，使该剥胶遮罩层覆盖触控面板的显示区，然后涂敷一无机材料的黑矩阵层于缓冲层的表面和剥胶遮罩层的表面，从而在剥离该剥胶遮罩层后形成图案化的黑矩阵层。无机材料的黑矩阵层相较于有机材料的黑矩阵层不会有剥离的情形。此外，在黑矩阵层上还可依次沉积另一缓冲层和一金属层，从而减少该缓冲层的蚀刻时间。

附图说明

读者在参照附图阅读了本发明的具体实施方式以后，将会更清楚地了解本发明的各个方面。其中，

图1示出依据本发明的一个方面，用于对触控面板中的黑矩阵进行图案化的方法的流程框图；

图2示出采用图1中的方法进行薄膜制程的一具体实施例；以及

图3示出采用图1中的方法进行薄膜制程的另一具体实施例。

具体实施方式

为了使本申请所揭示的技术内容更加详尽与完备，可参照附图以及本发明的下述各种具体实施例，附图中相同的标记代表相同或相似的组件。然而，本领域的普通技术人员应当理解，下文中所提供的实施例并非用来限制本发明所涵盖的范围。此外，附图仅仅用于示意性地加以说明，并未依照其原尺寸进行绘制。

下面参照附图，对本发明各个方面的具体实施方式作进一步的详细描述。

如前所述，在现有的薄膜制程工艺中，于触控面板湿热测试之后，在FPC粘合区域内的BM剥离只能在有机材料制成的BM中被监测，而无法在无机材料制成的BM中进行检查。另一方面，对于TFT阵列晶圆来说，转换成无机显影剂和回收系统也较为繁琐，而且转换成本十分昂贵。为了有效地解决对于BM材质的依赖性，本发明提出了一种新颖的制程方法。

图1示出依据本发明的一个方面，用于对触控面板中的黑矩阵进行图案化的方法的流程框图。