[发明专利]一种耦合器用980光纤及其生产方法有效

专利信息
申请号: 201210104282.0 申请日: 2012-04-11
公开(公告)号: CN102621629A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 冯术娟;苏武;缪振华;金其峰;黄本华;梁乐天;邱韦韦;张静霞 申请(专利权)人: 江苏法尔胜光子有限公司
主分类号: G02B6/036 分类号: G02B6/036;C03B37/018;C03B37/025;C03C25/32;C03C13/04
代理公司: 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人: 顾进
地址: 214434 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 耦合 器用 980 光纤 及其 生产 方法
【权利要求书】:

1.一种耦合器用980光纤,由横截面为圆形的裸玻璃光纤(1)以及包围在该裸玻璃光纤外周的横截面为圆环形的内涂层(2)和外涂层(3)构成,其特征是:所述裸玻璃光纤(1)由一个横截面为圆形的芯层(11)和依次包围在所述芯层外侧的横截面为圆环形的内包层(12)和外包层(13)组成;在芯层(11)中掺杂有锗,在芯层中Si 和Ge 的摩尔百分比为分别为Si :88~90,Ge :10~12;在内包层12中掺杂有氟、锗和磷,在内包层中Si、F、Ge、P的摩尔百分比分别为:Si:84~88,F:2~3 ,Ge:5~7,P:5~6;所述的外包层(13)为纯SiO2;所述芯层(11)的折射率高于内包层(12)和外包层(13)的折射率,且所述芯层(11)相对与内包层(12)的折射率差(Δ+)大于内包层(12)相对于外包层(13)的折射率差(Δ-);所述芯层(11)相对与内包层(12)的折射率差(Δ+)为0.01~0.013,内包层(12)相对于外包层(13)的折射率差(Δ-)为-0.005~0;所述芯层(11)的直径(2a)为4~4.5μm,内包层(12)的直径(2b)为16.5~18μm,外包层(13)的直径(2c)为124~126μm。

2.根据权利要求1所述的一种耦合器用980光纤,其特征是外径尺寸为230~260μm,截止波长在905~955nm;当工作波长在980nm时,衰减系数≤3dB/km,模场直径在4.7~5.0μm,工作波长在1550nm时,衰减系数≤1dB/km,模场直径在7~8μm,光纤的熔接损耗≤0.15dB。

3.根据权利要求1所述的一种耦合器用980光纤的生产方法,其包括以气相沉积法(MCVD)来制造光纤预制棒的芯棒,再由外部气相沉积(OVD)制造包围在芯棒外周的外包层从而得到光纤预制棒,再将得到的光纤预制棒在拉丝塔上进行拉丝制成裸玻璃光纤,该裸玻璃光纤经过两次紫外光固化树脂涂覆形成内涂层和外涂层后即为成品;其特征是:

在气相沉积法(MCVD)来制造光纤预制棒的芯棒的过程中:当在基管的内壁先沉积内包层时,通过在喷灯的SiCl4原料中摻杂SF6、GeCl4、POCl3,使内包层中Si、F、Ge、P的摩尔百分比分别为:Si:84~88,F:2~3 :Ge:5~7,P:5~6;在沉积芯层时,通过在喷灯的SiCl4原料中摻杂GeCl4、使芯层中Si 和Ge 的摩尔百分比为分别为Si :88~90,Ge :10~12。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏法尔胜光子有限公司,未经江苏法尔胜光子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210104282.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top